[实用新型]一种钼屏单晶炉热场有效
申请号: | 201721529339.6 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN207418919U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 史二庆 | 申请(专利权)人: | 四川高铭科技有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 62500*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 外筒 石英坩埚 导流板 导流筒 本实用新型 单晶炉热场 导流通道 钩部 内筒 热屏 坩埚 隔板 横向梯度 连接机构 内筒顶部 生产效率 石墨坩埚 温度稳定 凸出部 最外层 晶棒 热场 下端 架设 | ||
本实用新型公开了一种钼屏单晶炉热场,包括导流筒和坩埚,所述导流筒最外层设有外筒,所述外筒内侧设有内筒,所述内筒顶部向外弯曲形成钩部,所述钩部与所述外筒固定连接,所述内筒的内侧设有钼屏,所述钼屏内部为导流通道,所述导流筒底部设有导流板,所述导流板通过连接机构与所述外筒的下端凸出部固定连接,所述导流板与所述导流通道之间设有隔板,所述坩埚包括石墨坩埚和设置于其内侧的石英坩埚,所述石英坩埚内部架设有环形钼屏。本实用新型在生产中的热屏中间加上一层钼屏,此方法可以在生产中加大热场的横向梯度,造成热屏中间的温度略低于石英坩埚四周的温度,且温度稳定为晶棒长晶提供有利条件,更能提高长晶的速度,提高了生产效率。
技术领域
本实用新型涉及单晶制造设备技术领域,具体涉及一种钼屏单晶炉热场。
背景技术
单晶炉热屏是热场中重要的组成部分,具有良好的耐热性能、力学性能和一定的保温性能,从而降低生产能耗,并有效控制热场温度梯度。现有单晶炉热场,其在温度控制上还有可以改进的地方。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种钼屏单晶炉热场,本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
一种钼屏单晶炉热场,包括导流筒和坩埚,所述导流筒最外层设有外筒,所述外筒内侧设有内筒,所述内筒顶部向外弯曲形成钩部,所述钩部与所述外筒固定连接,所述内筒的内侧设有钼屏,所述钼屏内部为导流通道,所述导流筒底部设有导流板,所述导流板通过连接机构与所述外筒的下端凸出部固定连接,所述导流板与所述导流通道之间设有隔板,所述坩埚包括石墨坩埚和设置于其内侧的石英坩埚,所述石英坩埚内部架设有环形钼屏。
进一步的,所述导流板上设有导流孔。
进一步的,所述导流筒和所述坩埚同轴设置。
进一步的,所述钼屏和所述环形钼屏包括多个单层钼片,所述钼片上设有通孔和支撑相邻层钼片的凸起。
进一步的,所述通孔内贯穿设有钼螺钉,所述钼螺钉的一头带有钼螺帽,另一头带有螺纹并与所述内筒螺纹连接。
进一步的,所述钼螺钉两头带有钼螺帽。
进一步的,所述相邻的钼片之间通过所述凸起形成间隙层。
有益效果在于:本实用新型在生产中的热屏中间加上一层钼屏,此方法可以在生产中加大热场的横向梯度,造成热屏中间的温度略低于石英坩埚四周的温度,且温度稳定为晶棒长晶提供有利条件,更能提高长晶的速度,提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型结构示意图;
图2是本实用新型钼屏的结构视图;
图3是本实用新型环形钼屏的结构视图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式,都属于本实用新型所保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川高铭科技有限公司,未经四川高铭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721529339.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多尺寸通用石英舟
- 下一篇:一种长寿命石墨坩埚单晶炉