[实用新型]异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201721525455.0 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN207425870U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王进;彭福国;胡德政;徐希翔;李沅民 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/077 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体硅 银薄层 主栅线 异质结太阳能电池 本征非晶硅层 透明导电膜层 电极 本实用新型 太阳能光伏组件 电极固化 焊接拉力 银浆料 树脂 沉积 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
晶体硅；
设置在所述晶体硅正反面的本征非晶硅层；
设置在所述晶体硅正面的所述本征非晶硅层上的N型非晶硅层；
设置在所述晶体硅背面的所述本征非晶硅层上的P型非晶硅层；
设置在所述N型非晶硅层和所述P型非晶硅层上的透明导电膜层；
设置在所述晶体硅正反面的所述透明导电膜层上的银薄层；
设置在所述晶体硅正反面的所述银薄层上的主栅线电极。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述银薄层的厚度范围值为10～200nm。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅的厚度范围值为100～250um。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。
5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。
7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜层的厚度范围值为50～150nm。
8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述透明导电膜层上设置有细栅线电极。
9.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述细栅线电极的直径的范围值为20～60um。
10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述主栅线电极的数量为2-6条。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
