[实用新型]非对称鳍内存晶体管及半导体器件

权利要求书

1.一种非对称鳍内存晶体管，其特征在于，包括：

一衬底，具有多个有源区，形成于所述衬底中；

隔离结构，形成于所述衬底中并围绕所述有源区；以及，

多条字线，形成于所述衬底中，所述多条字线穿过所述隔离结构和所述有源区，且所述字线的底部覆盖在所述有源区侧边的鳍部两端长度不相同，以改善漏电流。

2.如权利要求1所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，多个所述有源区排布成多排，每一排中所有的所述有源区的排布方向与所述有源区的长度方向呈锐角，相邻排的有源区平行排列。

3.如权利要求2所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，每条所述字线穿过多排有源区，且在每排中穿过相邻的两个所述有源区。

4.如权利要求3所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，对于同一条字线，在相邻排中的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为a，在同一排中相邻的两个所述有源区之间的所述字线的底部距离所述字线在所述有源区的底部的高度差值为b，其中，a≠b。

5.如权利要求4所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，|a-b|≥0.5*Min(a，b)，其中Min(a，b)表示取a和b中的较小者。

6.如权利要求5所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，若a>b，则1nm≤a≤500nm，0.5nm≤b≤300nm。

7.如权利要求5所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，若a<b，则0<a≤300nm，0.5nm≤b≤500nm。

8.如权利要求1所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，所述隔离结构包括位于所述有源区的侧壁上的第一隔离材料层，所述第一隔离材料层的厚度为1～200nm。

9.如权利要求8所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，所述隔离结构还包括位于所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层。

10.如权利要求1至5，7至9中任一项所述的非对称鳍内存晶体管， 其特征在于，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较高于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度小于对应所述第二间距的侧边长度。

11.如权利要求1至6，8，9中任一项所述的非对称鳍内存晶体管，其特征在于，相邻所述有源区之间在所述字线延伸方向形成有第一间距和第二间距，所述第一间距大于所述第二间距，所述隔离结构的顶部在所述第一间距的区段高度较低于在所述第二间距的区段高度，使得所述字线的底部在所述有源区对应所述第一间距的侧边长度大于对应所述第二间距的侧边长度。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一衬底；

多个阵列结构，形成于所述衬底中；

围绕结构，形成于所述衬底中并围绕所述阵列结构的外部和之间；以及，

贯穿结构，形成于所述衬底中，多个所述贯穿结构穿过所述阵列结构以及所述围绕结构在所述阵列结构之间的部分，且所述贯穿结构的底部覆盖在所述阵列结构的相对两穿过侧的两端长度为不相同。