[实用新型]绝缘密封结构及储能器件

权利要求书

1.一种绝缘密封结构，其特征在于，包括电极引出结构、用于连接外壳的负极盖和设置在所述电极引出结构与负极盖之间的绝缘垫和密封圈，其中：

所述电极引出结构包括用于连接芯体的集流体、作为负极的极柱以及设置于所述集流体和极柱之间的转接柱，所述转接柱的外缘上设置有凹槽；

所述负极盖的端部设置有用于套设所述转接柱的第一通孔，所述绝缘垫设置于所述凹槽与第一通孔之间，所述绝缘垫的上端搭设在所述凹槽的上台阶面与所述负极盖的上端面之间，所述密封圈设置在所述凹槽的下台阶面与第一通孔的下端面之间。

2.根据权利要求1所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述凹槽为设置于所述转接柱外缘上的通过翻边处理得到的环形凹槽。

3.根据权利要求1所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述凹槽为由所述转接柱的上端面与所述集流体的上端面之间围成的环形凹槽。

4.根据权利要求1至3中任一所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述负极盖上位于所述第一通孔的下端设置有与所述第一通孔同轴并且直径大于所述第一通孔的直径的第二通孔，所述第一通孔的深度小于所述凹槽的深度，所述密封圈设置于所述第二通孔的台阶面与所述凹槽的下台阶面之间。

5.根据权利要求4所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述密封圈为O型圈。

6.根据权利要求1至3任一所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述转接柱的端面上设置有用于与所述极柱间隙配合的第三通孔，所述转接柱与极柱之间在所述转接柱上的第三通孔的上端焊接连接，所述转接柱的下端与所述集流体焊接连接。

7.根据权利要求6所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述转接柱的上端设置有与所述第三通孔同轴且直径大于所述第三通孔直径的第四通孔，所述转接柱与极柱之间在所述极柱与第四通孔形成的沟槽内焊接连接。

8.根据权利要求6所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述极柱的外缘上与所述第三通孔的上部相对应的位置设置有环形缺口。

9.根据权利要求8所述的绝缘密封结构，其特征在于，所述极柱上位于环形缺口的上端设置有直径小于所述环形缺口的直径的凸台。

10.一种储能器件，其特征在于，包括外壳、设置于所述外壳内部的芯体和权利要求1至9任一所述的绝缘密封结构，所述外壳与负极盖之间、所述芯体的上端与集流体之间均采用焊接连接。