[实用新型]一种降低TVS电容装置有效
申请号: | 201721503399.0 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN207542244U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 李运鹏;郭小红;黄传传;李强 | 申请(专利权)人: | 萨锐微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H02H9/04 |
代理公司: | 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) 31288 | 代理人: | 刘君 |
地址: | 200000 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二极管 瞬态 电容单元 电压开关型 极板 电压钳位 绝缘层 金属氧化层 电容装置 内部设置 电容 本实用新型 产品效能 增强信号 应用端 有效地 匹配 基层 | ||
1.一种降低TVS电容装置,其特征在于:包括第一电容单元(1)和电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5),第一电容单元(1)内部设置有绝缘层极板(4)和电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5),第一电容单元(1)下方连接有金属氧化层(2),金属氧化层(2)下方连接有第二电容单元(3),第二电容单元(3)内部设置有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6)和基层极板(7),基层极板(7)上方连接有电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6),电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6)上方连接有电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5),电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5)上方固定有绝缘层极板(4)。
2.根据权利要求1所述的一种降低TVS电容装置,其特征在于,第一电容单元(1)与第二电容单元(3)在金属氧化层(2)上构成三维阵列,排列方式既有水平方向上的平行排列,又有竖直方向的交错排列。
3.根据权利要求1所述的一种降低TVS电容装置,其特征在于,第一电容单元(1)内部均设置有若干电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5),电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5)彼此之间电连接,第二电容单元(3)内部设置有若干电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6),电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6)彼此之间电连接。
4.根据权利要求1所述的一种降低TVS电容装置,其特征在于,电压钳位型瞬态拟制二极管TVS(6)上方连接有若干基层极板(7),电压开关型瞬态拟制二极管TSS(5)下方连接有若干绝缘层极板(4),绝缘层极板(4)与基层极板(7)均呈梳状。
5.根据权利要求1所述的一种降低TVS电容装置,其特征在于,绝缘层极板(4)采用有机薄膜晶体材料合成。
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