[实用新型]一种高集成度高压延迟缓启动装置有效
| 申请号： | 201721502102.9 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN207542992U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王博;赵卫;白永林;朱炳利;陈震;曹伟伟;缑永胜;白晓红;秦君军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H02M1/36 | 分类号： | H02M1/36;H02M1/34 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 幅值控制 高压电源 光控 压延 高集成度 启动装置 导通 本实用新型 发光二极管 光电探测器 缓启动电路 有效高电平 延迟启动 有效输入 直流电源 充放电 可变 栅端 发光 截止 | ||
1.一种高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：包括直流电源VCC、RC充放电电路、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和光控MOS管；
所述RC充放电电路包括电容C1和电阻R3，直流电源VCC对电容C1充电，电容C1和电阻R3分别经不同的支路接至直流电源VCC，同时电阻R3一端与电容C1的正端连接，电阻R3另一端分别接至MOS管Q1的漏端和MOS管Q2的栅端，电容C1的负端接地；
MOS管Q1的栅端作为该高集成度高压延迟缓启动装置的控制输入端；MOS管Q1的源端接地，使得当控制输入端为有效高电平，MOS管Q1处于导通状态，在所述RC充放电电路的放电作用下，MOS管Q2的栅端电压从初始最大值缓慢降低；
MOS管Q2的漏端经电阻R12接至直流电源VCC，MOS管Q2的源端接地，MOS管Q2因RC充放电电路的作用形成一个可变电阻，该可变电阻与R12组成分压电路，对直流电源VCC分压后加载在MOS管Q3的栅端；
MOS管Q3的漏端接至直流电源VCC，MOS管Q3的源端经光控MOS管中的光电二极管串联接地；MOS管Q3跟随MOS管Q2状态变化，进而决定光电二极管的导通状态；光控MOS管中的MOS管作为该高集成度高压延迟缓启动装置控制输出端，高压幅值控制端与高压电源输入端之间引出结点直接经光控MOS管中的MOS管串联接地。
2.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：MOS管Q1的栅端还设置有接地的保护稳压管。
3.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述RC充放电电路还包括电阻R1和电阻R2，直流电源VCC依次经电阻R1、电阻R2串联接地，所述电阻R3一端与电容C1的正端连接的结点同时亦为电阻R1与电阻R2连接的结点。
4.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述分压电路的分压点经一组并联电容接至MOS管Q1的漏端。
5.根据权利要求1或4所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：所述电阻R3另一端接至MOS管Q1的漏端最后接地的支路上串联设置有电阻R4。
6.根据权利要求1所述的高集成度高压延迟缓启动装置，其特征在于：MOS管Q3的源端与光控MOS管之间串联设置限流电阻R5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院西安光学精密机械研究所，未经中国科学院西安光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721502102.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种浪涌稳压电路
- 下一篇：一种带有功率因数的电源电路
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
