[实用新型]一种同步随机动态存储器

说明书

本实用新型提供一种同步随机动态存储器，包括：底座、基片和芯片；底座上开设有第一凹槽，在第一凹槽的底部开设有第二凹槽，芯片位于第二凹槽内，芯片的焊盘在第二凹槽中朝上设置，基片在芯片之上，基片上设有孔，基片的孔的面积小于芯片的面积，基片上的孔与芯片的焊盘对应设置，基片的顶面高度低于第一凹槽的上表面的高度，芯片和基片通过压焊丝连接，基片和底座通过压焊丝连接。本实用新型底座上设置两个凹槽，将芯片放置于下面的凹槽内，使整体高度减小，由于基片的孔比芯片小，刚好压在芯片两侧，但芯片的焊盘处于基片的孔的位置上，基片和芯片的压焊丝的高度和横向距离均相对于现有技术减小，减小了塌丝。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，更具体地，涉及一种同步随机动态存储器。

背景技术

随着现代电子技术的发展，数字电子技术集成化程度越来越高，较小的体积(内部腔体体积)就需要通过合理的工艺设计实现数据的输入输出，满足电性能指标要求。存储器电路的小型化、轻量化、集成化、低功耗成为新型半导体电子技术的重要要求。

HSD1616G型256Mbit同步随机动态存储器电路用户要求的外形尺寸：≤11.00mm×11.00mm×2.10mm。产品要求的封装形式为CLGA96无引线陶瓷管壳封装，并且由于芯片上的压点都集中在X方向中线上，要从四周均匀引出，考虑到军用高低温、气密性环境试验和电性能指标的要求，采用传统的厚膜电路工艺制造技术基本做不到，按照常规产品封装规范，是很难实现的，对于产品内部布线，芯片粘接、基片装配都提出了更高要求，必须调整思路，寻求一种新的工艺设计技术，才能完成设计要求。

HSD1616G型SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM。采用CLGA96无引线片式陶瓷封装。其属于集成电路，芯片13和基片12通过金丝球焊实现可靠性连接，目前采用传统的厚膜生产工艺制作。传统的厚膜生产工艺外壳使用平行封焊，一般采用至少厚1.65mm的陶瓷底座11、96％氧化铝陶瓷基片12，而且厚度为0.635mm，在此基片12上印刷设计好的版图，将高度为0.4mm的存储器芯片13粘接在此基片12上，粘接材料选用5020膜1，芯片13上焊盘通过金丝球焊实现与基片12上导体的连接，底座11上部通过真空熔封焊接镀金壳盖14，采用此生产工艺整个结构高度将达到4.4mm，高度(要求2.1mm)和长、宽均不满足小型化要求。原结构图如图1。

另外，由于芯片在基片上边，有0.4mm的高度落差，高密度的压焊丝(如图2所示)都集中在基片中央，由于压焊点没有高度差，很容易造成塌丝并形成相互短路，造成芯片功能异常。

实用新型内容

本实用新型提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的同步随机动态存储器。

第一方面，本实用新型提供一种同步随机动态存储器，包括：底座、基片和芯片；

所述底座上开设有第一凹槽，在所述第一凹槽的底部开设有第二凹槽，所述芯片位于所述第二凹槽内，所述芯片的焊盘在所述第二凹槽中朝上设置，所述基片在所述芯片之上，所述基片上设有孔，所述基片的孔的面积小于所述芯片的面积，所述基片上的孔与所述芯片的焊盘对应设置，所述基片的顶面高度低于所述第一凹槽的上表面的高度，所述芯片和所述基片通过压焊丝连接，所述基片和所述底座通过压焊丝连接。

优选的，还包括垫片；

所述垫片中间设有孔，所述垫片位于所述第二凹槽内，所述芯片位于所述垫片的孔内，所述基片位于所述垫片上。

优选的，所述基片为薄膜基片。

优选的，所述薄膜基片为微晶玻璃。

优选的，所述基片的厚度为0.127mm。

优选的，所述垫片的厚度为0.2mm。

优选的，在所述底座上粘接有一层薄膜，所述垫片和所述芯片位于所述薄膜上。