[实用新型]CMOS低压差线性稳压器、芯片有效
| 申请号： | 201721481483.7 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN207337258U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 聂海;宋登明;王银 | 申请（专利权）人： | 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;G05F1/569;G05F1/573 |
| 代理公司： | 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 | 代理人： | 韩晓银 |
| 地址： | 610093 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 低压 线性 稳压器 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMOS低压差线性稳压器，其特征在于，包括依次连接的偏置电路、带隙基准源电路、误差放大电路、过温保护电路、过流保护电路以及输出电路；
所述偏置电路，采用与电源电压无关以及与温度系数相反的电阻串联的偏置结构；
所述带隙基准源电路，采用与绝对温度成正比的电流型带隙基准结构；
所述误差放大电路，采用三级运放结构；
所述过温保护电路，由比较器、温度检测控制电路和温度回滞控制电路构成；
所述过流保护电路，由比较器和电流采样控制电路构成；
所述输出电路，采用功率调整管和负载级联的结构。
2.根据权利要求1所述的CMOS低压差线性稳压器，其特征在于，还包括补偿电路，所述补偿电路采用反向增益级结构，所述过流保护电路通过所述补偿电路和所述输出电路连接。
3.根据权利要求1所述的CMOS低压差线性稳压器，其特征在于，所述三级运放结构的第一级为误差放大器，第二级为缓冲器，第三级为PMOS功率管。
4.根据权利要求2所述的CMOS低压差线性稳压器，其特征在于，所述反向增益级结构包括两个补偿电容。
5.一种芯片，包括芯片本体和权利要求1-4任一项所述的CMOS低压差线性稳压器。
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