[实用新型]高触发性阴极有效
申请号: | 201721451653.7 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN207409455U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 殷尧平 | 申请(专利权)人: | 常州玉宇电光器件有限公司 |
主分类号: | H01J61/04 | 分类号: | H01J61/04;H01J9/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213149 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触发 阴极基材 氧化钍 阴极 尖锥形 卡槽 芯棒 本实用新型 凸出 前端部 电极 嵌入 使用寿命 芯棒头部 氙灯电极 烧结 压注 氙灯 | ||
本实用新型涉及一种高触发性阴极,具有阴极基材,所述的阴极基材前端部具有卡槽,卡槽内嵌入固定有钍含量为5%的氧化钍芯棒,所述的氧化钍芯棒头部具有外凸出卡槽呈尖锥形的触发部。本实用新型将钍含量为5%的氧化钍芯棒以粉末压注,然后烧结的方式嵌入固定于阴极基材的前端部,并使得尖锥形的触发部外凸出阴极基材,在电极触发过程中以此触发部进行触发。由于该触发部呈尖锥形,且其长度为氧化钍芯棒的一半,钍含量又较之氙灯传统所用阴极2%的含量提高较多,因此能极大地提高氙灯电极的触发性能,延长电极的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及一种数字电影放映机氙灯所用的高触发性阴极。
背景技术
数字电影放映机中氙灯中,通常采用的钍钨阴极中钍含量多控制在2%以内,而钍元素在阴阳电极触发过程中起着关键作用,如果为提高电极触发性能而将钍含量提高到2%以上,则会给阴极制作造成较大的困难,如金属锻造时会产生脆裂,金属强度难以满足加工要求等一系列问题,因此采取单纯将阴极中钍元素含量提高到常规的2%以上来提高阴极触发性能,在制作工艺上存在较大的变数,较难实现。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术中之不足,本实用新型提供一种制作简单实用、能真正提高氙灯电极触发性能的高触发性阴极。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高触发性阴极,具有阴极基材,所述的阴极基材前端部具有卡槽,卡槽内嵌入固定有钍含量为5%的氧化钍芯棒,所述的氧化钍芯棒头部具有外凸出卡槽呈尖锥形的触发部。
优选地,所述的触发部长度为氧化钍芯棒之长度的一半。
所述的卡槽为矩形槽。
本实用新型的有益效果是:本实用新型将钍含量为5%的氧化钍芯棒以嵌入方式固定于阴极基材的前端部并使得尖锥形的触发部外凸出阴极基材,在电极触发过程中以此触发部进行触发。由于该触发部呈尖锥形,且其长度为氧化钍芯棒的一半,钍含量又较之氙灯传统所用阴极2%的含量提高较多,因此能极大地提高氙灯电极的触发性能,延长电极的使用寿命。
附图说明
下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型所述密闭容器的结构示意图。
图中:1.阴极基材 1.1.卡槽 2.氧化钍芯棒 2-1.触发部 3.石英管 4.高频线圈5.压力密封盖 6.抽气管
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种高触发性阴极,具有阴极基材1,所述的阴极基材前端部具有矩形的卡槽1-1,卡槽1-1内嵌入固定有钍含量为5%的氧化钍芯棒2,所述的氧化钍芯棒2头部具有外凸出卡槽1-1呈尖锥形的触发部2-1,所述的触发部2-1长度为氧化钍芯棒2之长度的一半。
上述高触发性阴极的制作工艺,具有如下步骤:
a、制作阴极基材1和氧化钍芯棒2,在阴极基材1前端部开设矩形的卡槽1-1,氧化钍芯棒2与卡槽1-1之间呈间隙配合,在卡槽1-1侧面涂抹上钨粉后将氧化钍芯棒2插入卡槽1-1内;
b、在一端密封的石英管3外周面缠绕上高频线圈4;
c、将嵌入有氧化钍芯棒2的阴极基材1置于石英管3内,在石英管3开口的一端盖上压力密封盖5形成密闭容器;
d、将抽气管6通过压力密封盖5通入密闭容器内,对密闭容器内部抽真空至10
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