[实用新型]一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构

权利要求书

1.一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlN外延层（4），AlGaN外延层（5），二次外延层（6），二次外延形成凹槽，栅介质层（7），两端形成源极（8）和漏极（9），凹槽沟道处的绝缘层上覆盖有栅极（10）。

2.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的凹槽呈U型或梯型结构。

3.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的衬底（1）为 Si 衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN自支撑衬底中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的应力缓冲层（2）厚度为100 nm~20 μm。

5.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的GaN外延层（3）为非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层，非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层的掺杂元素均为碳或铁；GaN外延层厚度为100nm~20μm。

6.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的AlN外延层（4）的厚度为0-5 nm。

7.根据权利要求1所述的一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构，其特征在于：所述的AlGaN外延层（5）的厚度为1-10 nm；所述的二次外延层（6）为AlGaN/GaN异质结构，AlGaN层厚度为5-50 nm， GaN层厚度为0-500 nm。