[实用新型]一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、碳毡保温层(3)、感应线圈(4)，所述坩埚盖(2)位于顶部封闭所述坩埚(1)，所述坩埚(1)内放置有碳化硅粉末(5)，所述碳毡保温层(3)包覆所述坩埚(1)的周围、顶部、底部，所述感应线圈(4)围绕碳毡保温层(3)设置，其特征在于：所述坩埚盖(2)内侧中心形成有圆柱形凸台(6)，所述凸台(6)表面粘合有籽晶(7)，所述凸台(6)上环绕套设有一夹套(8)，所述凸台(6)外侧壁对应所述夹套(8)开设有相适配的夹套卡槽(9)，所述凸台侧壁夹套卡槽(9)下端开设有通气孔(10)，夹套卡槽(9)上端开设有排气孔(11)，所述坩埚盖(2)外侧连接气管(12)，所述气管(12)与通气孔(10)和排气孔(11)连通，所述夹套(8)由左夹套(81)和右夹套(82)组成，所述左夹套(81)和右夹套(82)通过插销(83)固定连接，所述左夹套(81)和右夹套(82)上分布有导气孔(84)。

2.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述圆柱形凸台(6)的高度为所述坩埚盖(2)的0.5-1.5倍，直径为所述坩埚盖(2)的0.3-0.6倍。

3.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述碳毡保温层(3)与感应线圈(4)之间套设有一石英筒(13)。

4.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述碳毡保温层(3)设有1-4层，每层厚度为5-10mm。

5.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述排气孔(11)设置在夹套卡槽(9)与坩埚盖(2)顶部之间的中心位置，环绕凸台(6)分布12-36个。

6.根据权利要求1所述的一种高纯半绝缘的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述左夹套(81)和右夹套(82)为相互配合的两个半圆，所述左夹套(81)和右夹套(82)的连接端上对应插销(83)开设有插销槽(85)。