[实用新型]电容器阵列及半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种电容器阵列及半导体器件。在电容器阵列中，由于电极组图层中的贯通口与下电极的筒状结构的筒内部和筒外部均连通，并且贯通口的直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个下电极的顶部端口，因此即使贯通口在其直线边界的延伸方向上存在有位移偏差，也仍然不会影响下电极的顶部端口对应在贯通口中的面积尺寸，确保能够在下电极的内外表面均可形成有完整的电容介质层和上电极。并且，由于贯通口的开口尺寸较大，从而在通过贯通口执行刻蚀工艺和成膜工艺时，也有利于提高相应的刻蚀速率和成膜速率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种电容器阵列，以及一种半导体器件。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，同时随着器件尺寸的不断缩减，在越来越小的集成电路中，如何制备出电容值足够大且可靠性高的电容器已成为一个重要的课题。

通常，电容器包括一上电极、一电容介质层和一下电极，所述电容介质层设置在上电极和下电极之间。在制备多个电容器构成的电容器阵列时，其常用的方法例如为：首先，在衬底上形成筒状结构的下电极；接着在下电极的顶部端口上的部分地遮盖一电极组图层，所述电极组图层中开设有贯通口，从而使下电极的顶部端口暴露在所述贯通口中；接着，可通过所述贯通口并经由顶部端口，以在下电极的内表面上形成电容介质层和上电极。

显然，根据如上所述的形成方法，当在开设贯通口时，如果所述贯通口产生有位移偏差，这将直接影响下电极的顶部端口从所述贯通口中暴露出的面积，如此一来，在后续的工艺中不利于将电容介质层和上电极形成在下电极的内表面上。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电容器阵列，以解决现有的电容器阵列中无法在下电极的内表面上充分形成电容介质层和上电极的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种电容器阵列，包括：

一衬底，具有一形成有所述电容器阵列的器件区；

多个下电极，设置在所述衬底的所述器件区上，且所述下电极具有一筒状结构；

一电极组图层，部分遮盖在多个所述下电极的所述筒状结构的顶部端口上，并且在所述电极组图层中开设有多个贯通口，每一所述贯通口对应多个所述下电极以构成一电极组，每一所述下电极的所述顶部端口和对应的所述贯通口在高度方向上的投影部分重叠，以使所述下电极的所述筒状结构的筒内部和筒外部均与所述贯通口相互连通，其中，所述贯通口具有一直线边界，所述直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个所述下电极的所述顶部端口；

一电容介质层，覆盖在所述下电极的内外表面上；以及，

一上电极，形成在所述电容介质层的表面上，由多个所述上电极、所述电容介质层和所述下电极分别构成多个阵列排列的电容器。

可选的，所述电容器阵列中等距相邻同一所述电容器的六个电容器呈现六角阵列排布。

可选的，所述贯通口在平行于所述衬底表面的方向上的开口形状包括梯形，所述贯通口的所述梯形中具有一第一直线边界和一与所述第一直线边界平行的第二直线边界，所述第一直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个所述下电极的所述顶部端口。

可选的，所述贯通口的所述梯形中的所述第二直线边界在高度方向上的投影穿越至少两个所述下电极的所述顶部端口。

可选的，所述电容器阵列还包括：

一第一支撑层，形成在所述下电极的侧壁上，并且所述第一支撑层连接多个所述下电极的所述筒状结构；以及，

一第二支撑层，形成在所述下电极的侧壁上并有间隔地位于所述第一支撑层的上方，使所述第二支撑层和所述第一支撑层分别布置在不同的高度位置上，并且所述第二支撑层连接多个所述下电极的所述筒状结构。