[实用新型]IGBT功率模块

说明书

本实用新型公开了一种IGBT功率模块，包括：基板；IGBT单元，每个IGBT单元的至少一个端部为连接端部，连接端部通过螺钉固定在基板上，每个连接端部设有正极固定端子和负极固定端子；绝缘件，每个绝缘件包括外罩部、连接部和挡板，外罩部和挡板分别设在连接部上，每个绝缘件设在连接端部处且外罩部外罩在螺钉上，位于同一侧的正极固定端子和负极固定端子之间设有挡板；正极导电体和负极导电体，正极导电体和负极导电体放置在绝缘件上且正极导电体与正极固定端子相连，负极导电体与负极固定端子相连。根据本实用新型的IGBT功率模块，可增加正极导电体和负极导电体之间以及正极导电体、负极导电体与螺钉之间的电气间隙和爬行距离。

技术领域

本实用新型涉及电子制造领域，具体涉及一种IGBT功率模块。

背景技术

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块是由MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管)和双极性晶体管复合而成的一种功率器件，它是既有MOSFET的高速交换功能又有双极性晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件。随着技术的不断发展，IGBT功率模块的功率密度不断提高、尺寸不断减小，这使得正极导电体和负极导电体之间的电气间隙减小以及正极导电体、负极导电体与固定IGBT功率模块的螺钉之间的电气间隙减小，存在一定的放电安全隐患，特别在湿度较高、灰尘较多的应用环境中很可能导致短路。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种IGBT功率模块，所述IGBT功率模块可增加正极导电体和负极导电体之间以及正极导电体、负极导电体与螺钉之间的电气间隙和爬行距离，进而提高IGBT功率模块的可靠性。

根据本实用新型实施例的IGBT功率模块，包括：基板；至少一个IGBT单元，每个所述IGBT单元的至少一个端部为连接端部，所述连接端部通过螺钉固定在所述基板上，每个所述连接端部设有正极固定端子和负极固定端子；至少一个绝缘件，每个所述绝缘件包括外罩部、连接部和挡板，所述外罩部和所述挡板分别设在所述连接部上，每个所述绝缘件设在所述连接端部处且所述外罩部外罩在所述螺钉上，位于同一侧的所述正极固定端子和所述负极固定端子之间设有所述挡板；正极导电体和负极导电体，所述正极导电体和所述负极导电体放置在所述绝缘件上且所述正极导电体与所述正极固定端子相连，所述负极导电体与所述负极固定端子相连。

根据本实用新型实施例的IGBT功率模块，通过在正极导电体和负极导电体之间设置绝缘件，并使绝缘件的外罩部外罩螺钉，同时使挡板位于正极固定端子和负极固定端子之间，可增加正极导电体和负极导电体之间以及正极导电体、负极导电体与螺钉之间的电气间隙和爬行距离，进而提高IGBT功率模块的可靠性。

在本实用新型的一些实施例中，所述连接部形成为平板，所述外罩部包括设在所述连接部的外周沿的围板，所述围板和所述连接部限定出外罩空间，所述螺钉位于所述外罩空间内。

在本实用新型的一些实施例中，所述挡板位于所述正极导电体和所述负极导电体之间。

在本实用新型的一些实施例中，每个所述绝缘件的与所述正极导电体和所述负极导电体接触的平面上设有固定柱，所述正极导电体和/或所述负极导电体上设置与所述固定柱配合的固定孔。

具体地，所述正极导电体和所述负极导电体上均设有固定孔，每个所述绝缘件上设有两个所述固定柱。

在本实用新型的一些实施例中，每个所述绝缘件的朝向所述基板的表面上设有固定凸台，所述固定凸台上设置第一安装孔，所述正极导电体和/或所述负极导电体上设置与所述第一安装孔正对的第二安装孔，所述IGBT功率模块还包括穿过所述第二安装孔固定在所述第一安装孔内的固定件。

具体地，所述正极导电体和所述负极导电体上均设有所述第二安装孔，每个所述绝缘件上设有两个所述第一安装孔。

在本实用新型的一些实施例中，每个所述绝缘件为一体成型件。