[实用新型]一种封装结构有效
申请号: | 201721443330.3 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN207398147U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 何志宏;林正忠;林章申 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:
复合芯片,所述复合芯片包括介质层及结合于所述介质层第一面的电路层;且所述介质层还包括与所述第一面相对的第二面;所述介质层横向划分为感应区及逻辑区;所述感应区内包括若干沟槽隔离结构;
聚光层,所述聚光层位于所述介质层第二面;所述聚光层包括像素元件,所述像素元件的位置对应于所述感应区。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述复合芯片包括多个所述感应区及所述逻辑区。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述像素元件与所述介质层第二面之间还包括吸收层、抗反射层中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述聚光层自上而下还包括透光层及连接层。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述连接层包裹所述像素元件上表面及侧边。
6.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于:所述连接层连接所述透光层及所述介质层并形成腔室,所述像素元件位于所述腔室中。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述像素元件包括微透镜层及滤光层。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构还包括重新布线层,所述重新布线层包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述重新布线层包括外延层以及金属布线层。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于:所述电路层与所述重新布线层第二表面的所述金属布线层电连接。
10.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于:所述封装结构还包括金属凸块,所述金属凸块形成于所述重新布线层第一表面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721443330.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种改良结构的钻机用行走底盘
- 下一篇:一种带有收卷机构的平台验布机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的