[实用新型]红外低频综合治疗仪

权利要求书

1.一种红外低频综合治疗仪，包括主机，所述主机设置有触摸显示屏、控制模块和供电模块，其特征在于：还包括与所述控制模块连接的主控模块，所述主控模块包括理疗加热控制模块、理疗振动控制模块、低频脉冲控制模块和红外理疗控制模块；

所述理疗加热控制模块，根据所述控制模块的控制指令控制理疗探头内设的加热装置进行加热；

所述理疗振动控制模块，根据所述控制模块的控制指令控制理疗探头内设的振动装置进行振动；

所述低频脉冲控制模块，根据所述控制模块的控制指令控制电极片向需要治疗的部位输出脉冲；

所述红外理疗控制模块，根据所述控制模块的控制指令控制红外灯头向需要治疗的部位发射红外光。

2.根据权利要求1所述的红外低频综合治疗仪，其特征在于：所述控制模块包括微控制器U1，以及与所述微控制器U1相连的晶振电路、三端稳压电路和复位电路；

所述三端稳压电路包括三端稳压块VR1、稳压滤波电容C12-C15,所述稳压滤波电容C12和C14并联后作为三端稳压块VR1输入端连接电源正端，所述稳压滤波电容C13和C15并联后作为三端稳压块VR1输出端；

所述复位电路包括或门逻辑芯片U2A和或门逻辑芯片U2B；或门逻辑芯片U2A的输出端连接至或门逻辑芯片U2B的两个输入端，所述或门逻辑芯片U2A的输出端与所述微控制器U1的复位引脚相连。

3.根据权利要求1所述的红外低频综合治疗仪，其特征在于：所述主控模块包括微控制器IC1，以及与所述微控制器IC1连接的晶振电路、整流滤波电路、两个三端稳压电路和数模转换芯片U2；

所述晶振电路包括晶振源Y1和滤波电容；所述整流滤波电路包括整流二极管D4、D5、D6、D7构成的整流桥，所述整流桥的输出电压经电容C6和C7稳压滤波后作为整流滤波电路输出端；所述整流滤波电路输出端连接所述三端稳压电路输入端；

所述低频脉冲控制模块包括运算放大电路、升压线圈T1、电容C1、电容C3和电容C5；所述微控制器IC1控制连接所述数模转换芯片U2，所述数模转换芯片U2输出信号经所述运算放大电路处理后，传输至所述升压线圈T1的初级线圈，所述升压线圈T1次级线圈作为所述低频脉冲控制模块输出端，与所述电极片连接。

4.根据权利要求3所述的红外低频综合治疗仪，其特征在于：所述理疗振动控制模块包括数字电位器U7、三极管Q2、三极管Q3、电阻R6、二极管D2和D3；所述数字电位器U7与所述微控制器IC1相连，其输出端通过电阻R5连接所述三极管Q2基极，所述三极管Q2发射极连接所述三极管Q3基极，所述三极管Q2和所述三极管Q3集电极均连接电压正端；所述电阻R6和二极管D2并联在所述三极管Q2发射极与接地端之间，二极管D3连接在电压正端与接地端之间，构成保护电路；所述三极管Q3发射极作为所述理疗振动控制模块输出端，与理疗探头内设的振动装置控制连接。

5.根据权利要求3所述的红外低频综合治疗仪，其特征在于：所述理疗加热控制模块包括三极管Q6、光耦合器U5、场效应管U6、温度传感器、电阻R10和R11；

所述三极管Q6基极连接数模转换芯片U2输出端，所述三极管Q6发射极与接地端相连，所述三极管Q6集电极连接光耦合器U5输入端，光耦合器U5输出端通过电阻R10和R11分压后连接场所述效应管U6的栅极；所述效应管U6输出端作为所述理疗加热控制模块输出端，与理疗探头内的加热装置连接；

所述理疗探头内还设置有所述温度传感器，所述温度传感器与所述微控制器IC1连接。

6.根据权利要求5所述的红外低频综合治疗仪，其特征在于：所述红外理疗控制模块包括三极管Q5和继电器J1；所述三极管Q5基极通过电阻R4连接微控制器IC1，所述三极管Q5发射极与接地端相连，所述三极管Q5集电极连接继电器J1作为红外灯控制端。