[实用新型]微压阻式传感器以及阵列结构测试板

权利要求书

1.微压阻式传感器，其特征在于：包括支撑体(1)，该支撑体(1)上设有贯穿该支撑体(1)的通孔；所述通孔包括同轴且从下至上依次连接的第一通孔(21)、第二通孔(22)和第三通孔(23)，所述第一通孔(21)和第三通孔(23)为棱锥台形且横截面尺寸从下至上递增，所述第一通孔(21)和第三通孔(23)的内壁相互平行，所述第二通孔(22)为棱柱形，在所述第二通孔(22)的轴向并从下至上依次连接有薄膜(3)、肋结构和块结构；所述薄膜(3)的四周与所述第二通孔(22)的内壁连接；所述肋结构包括两个分别与所述第二通孔(22)的内壁连接的第一窄肋区(41)以及依次设于所述两个第一窄肋区(41)之间的宽肋区(43)、第二窄肋区(42)和宽肋区(43)，所述第二窄肋区(42)的宽度为第一窄肋区(41)的宽度的两倍；所述第一窄肋区(41)和第二窄肋区(42)上集成有压电转化器(5)；所述块结构包括两个底部形状与所述宽肋区(43)形状匹配并与所述宽肋区(43)连接的单元块(6)。

2.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述压电转化器(5)为掺杂三价硼离子形成的电阻。

3.如权利要求2所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述第一窄肋区(41)上集成有一个电阻，所述第二窄肋区上集成有两个电阻，四个电阻为条形且相互平行。

4.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述支撑体(1)和所述通孔的横截面均为正方形，所述通孔与所述支撑体(1)同轴。

5.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述微压阻式传感器的材质为单晶硅，所述压电转化器(5)位于单晶硅的(100)晶面的(110)晶向。

6.如权利要求5所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述第一通孔(21)和第三通孔(23)的内壁与所述支撑体(1)底面的夹角为54.75°；所述单元块(6)为棱锥台形且横截面尺寸从下至上递减，所述单元块(6)的侧面与底面的夹角为54.75°。

7.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述微压阻式传感器为采用整体蚀刻制造而成的微压阻式传感器。

8.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述薄膜(3)和所述肋结构的厚度相同。

9.如权利要求1所述的微压阻式传感器，其特征在于：所述第一通孔(21)的轴向长度为400-500μm；所述薄膜(3)厚度为5-15μm。

10.阵列结构测试板，其特征在于：包括由权利要求1-9之一所述微压阻式传感器形成的阵列结构。