[实用新型]一种双面P型PERC太阳能电池有效
申请号: | 201721419342.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN207909892U | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;秦崇德;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/048 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 银料 氮化硅膜 镀铜层 背面 本实用新型 太阳能电池 正银电极 包覆 丝网印刷 氧化铝膜 依次层叠 主栅 改进 | ||
本实用新型公开了一种双面P型PERC太阳能电池,背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;所述背银主栅包括第一银料层和第一镀铜层,第一银料层与背面氮化硅膜连接,第一镀铜层包覆在第一银料层上;所述正银电极包括第二银料层和第二镀铜层,第二银料层与正面氮化硅膜连接,第二镀铜层包覆在第二银料层上。采用本实用新型,可降低银的耗量,解决丝网印刷的虚印问题,改进工艺简单易行,降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种双面P型PERC太阳能电池。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结上,形成新的空穴-电子对,在P-N 结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。
传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术,在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。
随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产,而对于双面PERC太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究。
对于双面PERC太阳能电池,由于光电转换效率高,同时双面吸收太阳光,发电量更高,在实际应用中具有更大的使用价值。
现有的双面PERC太阳能电池一般采用丝网印刷的方式来印刷银浆或铝浆,虽然丝网印刷工艺已非常成熟,但是总是难以避免会出现虚印、漏印的情况发生,降低电池的光电转换效率,对产品合格率形成不良影响。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种双面P型PERC太阳能电池,可降低银的耗量,解决丝网印刷的虚印问题,改进工艺简单易行,降低生产成本。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种双面P型PERC太阳能电池,包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极;所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N 型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接;
所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成30-500个平行设置的激光开槽区,每个激光开槽区内设置至少1组激光开槽单元,所述铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连;所述铝栅线与背银主栅垂直连接;
所述背银主栅包括第一银料层和第一镀铜层,第一银料层与背面氮化硅膜连接,第一镀铜层包覆在第一银料层上;
所述正银电极包括第二银料层和第二镀铜层,第二银料层与正面氮化硅膜连接,第二镀铜层包覆在第二银料层上。
作为所述双面P型PERC太阳能电池的优选技术方案,所述第一银料层的宽度为0.2-5.0mm,所述第一镀铜层的厚度为1-20μm。
作为所述双面P型PERC太阳能电池的优选技术方案,所述第二银料层的宽度为0.2-1.5mm,所述第二镀铜层的厚度为1-20μm。
作为所述双面P型PERC太阳能电池的优选技术方案,铝栅线的宽度为 30-550μm;所述铝栅线的根数为30-500条;所述背银主栅的根数为2-8条。
作为所述双面P型PERC太阳能电池的优选技术方案,所述背银主栅为连续直栅;或所述背银主栅呈间隔分段设置;或所述背银主栅呈间隔分段设置,各相邻分段间通过连通区域连接。
作为所述双面P型PERC太阳能电池的优选技术方案,所述背面氮化硅膜的厚度为20-200nm;所述背面氧化铝层的厚度为2-30nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的