[实用新型]高电源抑制比的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，包括分压单元、比较单元、升压单元以及开关单元；

分压单元，用于产生一分压信号；

比较单元，包括两个输入端和一个输出端，其中一个输入端耦接所述分压单元，用于接收所述分压信号，另一输入端用于接收基准电压信号，输出端用于输出根据分压信号和基准电压信号的放大电压信号；

升压单元，耦接所述比较单元的输出端，用于提供一个开关信号；

开关单元，耦接所述比较单元的输出端、所述分压单元以及升压单元，用于响应所述开关信号，接收并根据所述放大电压信号输出降压信号，所述开关单元包括第一NMOS管，第一NMOS管的栅极耦接所述比较单元的输出端，漏极耦接第一电压信号，源极耦接所述分压单元。

2.根据权利要求1所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括降噪单元，所述降噪单元包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极和漏极均耦接第一电压信号，源极耦接第一NMOS的漏极。

3.根据权利要求2所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述降噪单元还包括第一电阻，所述第一电阻一端耦接第二NMOS管的栅极，另一端耦接第一电压信号。

4.根据权利要求2所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括滤波单元，所述滤波单元包括第一电阻和第二电容，所述第一电阻一端耦接第二NMOS管的栅极，另一端耦接第一电压信号，所述第二电容耦接第一电阻和第二NMOS管的连接节点。

5.根据权利要求1所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管采用native NFET。

6.根据权利要求1所述的高电源抑制比的低压差线性稳压器，其特征在于，所述升压单元包括第一电容，所述第一电容的一端耦接比较单元和开关单元的连接节点，另一端接地。