[实用新型]一种工作稳定的半导体装置有效
申请号: | 201721412241.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN207381385U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 张跃宏 | 申请(专利权)人: | 镇江佳鑫精工设备有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/24;H01L23/31;H01L23/04 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212218 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工作 稳定 半导体 装置 | ||
本实用新型涉及一种工作稳定的半导体装置,属于半导体装置技术领域。该工作稳定的半导体装置,包括壳体、绝缘垫板、基板、半导体元件、导电体、离子风机和散热装置,绝缘垫板设置在壳体内,基板固接在绝缘垫板的上表面,基板上表面设置有一层树脂层,半导体元件和导电体分别设置在树脂层内;壳体设置有进风口和出风口,离子风机通过管路与壳体的进风口连通;散热装置包括散热管、冷却液箱、散热空腔和散热片,散热管、冷却液箱和散热空腔依次连通形成回路,散热片设置在散热空腔的外壁上。本实用新型工作稳定的半导体装置由于设置有散热装置,能够实时对装置进行散热,防止在使用过程中装置过热造成损坏,保证了装置的稳定工作。
技术领域
本实用新型涉及一种工作稳定的半导体装置,属于半导体装置技术领域。
背景技术
半导体( semiconductor),指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。
随着半导体的普及,半导体装置的应用也越来越广泛,由于目前电子产品在使用过程中,常常发生过热现在,经常导致半导体装置的工作不稳定,甚至于损坏。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提出一种散热效果好,使用寿命长的工作稳定的半导体装置。
本实用新型解决以上技术问题的技术方案:提供一种工作稳定的半导体装置,包括壳体、绝缘垫板、基板、半导体元件、导电体、离子风机和散热装置,绝缘垫板设置在壳体内的底部,基板固接在绝缘垫板的上表面,基板上表面设置有一层树脂层,半导体元件和导电体分别设置在树脂层内,半导体元件和导电体分别与基板的上表面固接;壳体设置有进风口和出风口,离子风机通过管路与壳体的进风口连通;散热装置包括散热管、冷却液箱、散热空腔和至少一片散热片,散热管、冷却液箱和散热空腔依次通过管路连通形成回路,散热片设置在散热空腔的外壁上;
其中绝缘垫板的加工工艺具体包括以下步骤:
A、配料:绝缘垫板中各成分按重量份数为:Ti粉3-5份、Ni粉1-3份、Al2O3粉4-7份、AlN粉1-5份、硅灰石16-19份、透辉石11-15份、黑滑石4-6份、菱镁矿5-9份和粘土45-55份;
B、粉碎:使用粉碎机将上述的原料分别粉碎,粉碎后原料的粒径在5mm-10mm之间;
C、混合球磨:将原料按重量份数放入混合球磨仪进行混合球磨,混合球磨后原料的粒径在800-1000目之间;
D、练泥:将混合球磨后的原料加水后放入真空练泥机进行练泥;
E、冷等静压成型:将练泥后的原料装入橡胶模具或者塑料袋内部,放入装有乳化液的缸体内,施加200-250Mpa的成型压力,冷等静压成型获得毛坯;
F、烧制:将冷等静压成型获得的毛坯送入隧道窑进行烧制,控制烧制温度在1600-1800℃;
G:清洗,值得绝缘垫板。
上述技术方案的改进是:半导体元件和导电体上端分别固接有第一导电柱和第二导电柱,第一导电柱和第二导电柱的上端突出与树脂层设置,第一导电柱和第二导电柱的上端通过线路连接。
上述技术方案的改进是:散热装置还包括循环泵,循环泵设置在散热管和冷却液箱之间的管路上。
上述技术方案的改进是:散热装置还包括阀门,阀门设置在散热管和循环泵之间的管路上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江佳鑫精工设备有限公司,未经镇江佳鑫精工设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721412241.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。