[实用新型]一种半导体制造用共晶机有效
申请号: | 201721406010.0 | 申请日: | 2017-10-29 |
公开(公告)号: | CN207441661U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 汪文坚;王倩;刘少丽;杨雅婷;陈业 | 申请(专利权)人: | 江苏纳沛斯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 223001 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共晶 一端设置 顶针 显示屏 半导体 半导体制造 控制台 夹板 照明灯 底端 本实用新型 缓冲装置 误差减少 成品率 缓冲力 夹板卡 警报灯 装置室 顶出 减小 抽屉 损伤 配合 | ||
本实用新型公开了一种半导体制造用共晶机,包括机体,所述机体的一端设置有装置室,所述机体的上方设置有共晶台,所述共晶台的上方设置有共晶枪,所述共晶枪的一端设置有照明灯,所述照明灯的一端设置有显示屏,所述显示屏的一端设置有警报灯,所述显示屏的底端设置有控制台,所述控制台的底端设置有抽屉,所述共晶台的中间位置设置有顶针,所述顶针的一端设置有夹板;通过在共晶机的顶针上设置有缓冲装置,可以使得在半导体被顶出时,可以减少顶针的缓冲力,使得顶针对半导体的外表面损伤减小,增加了产品的成品率,通过在共晶台上设置有夹板,夹板卡槽的配合,可以使得半导体在共晶台上更加的稳定,使得共晶的误差减少。
技术领域
本实用新型属于共晶机技术领域,具体涉及一种半导体制造用共晶机。
背景技术
共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度,共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度,考虑共晶固晶机台时,除高位置精度外,另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制,加有氮气或混合气体装置,有助于在共晶过程中作防氧化保护。当然和银浆固晶一样,要达至高精度的固晶,有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动,才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余,亦无损高产能及高良品率的要求。
现有的半导体制造用共晶机,拥有在共晶机在对半导体进行共晶时半导体的放置在共晶台上的凹槽里,在共晶完成后半导体容易粘合到凹槽壁内,对半导体的取出有一定的影响,在顶针定出半导体时由于顶针的冲击力较大,容易对刚共晶完成的半导体表面造成损伤,使得半导体的加工更加麻烦的问题,为此我们提出一种半导体制造用共晶机。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体制造用共晶机,以解决上述背景技术中提出现有的半导体制造用共晶机,拥有在共晶机在对半导体进行共晶时半导体的放置在共晶台上的凹槽里,在共晶完成后半导体容易粘合到凹槽壁内,对半导体的取出有一定的影响,在顶针定出半导体时由于顶针的冲击力较大,容易对刚共晶完成的半导体表面造成损伤,使得半导体的加工更加麻烦的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体制造用共晶机,包括机体,所述机体的一端设置有装置室,所述机体的上方设置有共晶台,所述共晶台的上方设置有共晶枪,所述共晶枪的一端设置有照明灯,所述照明灯的一端设置有显示屏,所述显示屏的一端设置有警报灯,所述显示屏的底端设置有控制台,所述控制台的底端设置有抽屉,所述共晶台的中间位置设置有顶针,所述顶针的一端设置有夹板,所述夹板的一端设置有调节杆,所述调节杆的外表面设置有弹簧,所述调节杆的一端设置有调节螺母,所述顶针的顶端设置有第一缓冲器,所述第一缓冲器的底端设置有缓冲支杆,所述缓冲支杆的底端设置有第二缓冲器,所述第二缓冲器的外表面设置有顶针外壳,所述顶针的底端设置有顶针底座。
优选的,所述缓冲支杆共设置有四个,且四个缓冲支杆分别均匀设置在顶针外壳的内部,所述缓冲支杆的顶端设置有第一缓冲器,且第一缓冲器通过电焊固定连接在缓冲支杆上。
优选的,所述第二缓冲器通过电焊固定连接在缓冲支杆的底端。
优选的,所述夹板共设置有两个,且两个夹板分别固定连接在调节杆上。
优选的,所述共晶台与调节杆通过调节螺母固定连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过在共晶机的顶针上设置有缓冲装置,可以使得在半导体被顶出时,可以减少顶针的缓冲力,使得顶针对半导体的外表面损伤减小,增加了产品的成品率,通过在共晶台上设置有夹板,夹板卡槽的配合,可以使得半导体在共晶台上更加的稳定,使得共晶的误差减少。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造