[实用新型]一种半导体制造用共晶机有效

专利信息
申请号: 201721406010.0 申请日: 2017-10-29
公开(公告)号: CN207441661U 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 汪文坚;王倩;刘少丽;杨雅婷;陈业 申请(专利权)人: 江苏纳沛斯半导体有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 223001 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 共晶 一端设置 顶针 显示屏 半导体 半导体制造 控制台 夹板 照明灯 底端 本实用新型 缓冲装置 误差减少 成品率 缓冲力 夹板卡 警报灯 装置室 顶出 减小 抽屉 损伤 配合
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体制造用共晶机,包括机体,所述机体的一端设置有装置室,所述机体的上方设置有共晶台,所述共晶台的上方设置有共晶枪,所述共晶枪的一端设置有照明灯,所述照明灯的一端设置有显示屏,所述显示屏的一端设置有警报灯,所述显示屏的底端设置有控制台,所述控制台的底端设置有抽屉,所述共晶台的中间位置设置有顶针,所述顶针的一端设置有夹板;通过在共晶机的顶针上设置有缓冲装置,可以使得在半导体被顶出时,可以减少顶针的缓冲力,使得顶针对半导体的外表面损伤减小,增加了产品的成品率,通过在共晶台上设置有夹板,夹板卡槽的配合,可以使得半导体在共晶台上更加的稳定,使得共晶的误差减少。

技术领域

本实用新型属于共晶机技术领域,具体涉及一种半导体制造用共晶机。

背景技术

共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度,共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度,考虑共晶固晶机台时,除高位置精度外,另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制,加有氮气或混合气体装置,有助于在共晶过程中作防氧化保护。当然和银浆固晶一样,要达至高精度的固晶,有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动,才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余,亦无损高产能及高良品率的要求。

现有的半导体制造用共晶机,拥有在共晶机在对半导体进行共晶时半导体的放置在共晶台上的凹槽里,在共晶完成后半导体容易粘合到凹槽壁内,对半导体的取出有一定的影响,在顶针定出半导体时由于顶针的冲击力较大,容易对刚共晶完成的半导体表面造成损伤,使得半导体的加工更加麻烦的问题,为此我们提出一种半导体制造用共晶机。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体制造用共晶机,以解决上述背景技术中提出现有的半导体制造用共晶机,拥有在共晶机在对半导体进行共晶时半导体的放置在共晶台上的凹槽里,在共晶完成后半导体容易粘合到凹槽壁内,对半导体的取出有一定的影响,在顶针定出半导体时由于顶针的冲击力较大,容易对刚共晶完成的半导体表面造成损伤,使得半导体的加工更加麻烦的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体制造用共晶机,包括机体,所述机体的一端设置有装置室,所述机体的上方设置有共晶台,所述共晶台的上方设置有共晶枪,所述共晶枪的一端设置有照明灯,所述照明灯的一端设置有显示屏,所述显示屏的一端设置有警报灯,所述显示屏的底端设置有控制台,所述控制台的底端设置有抽屉,所述共晶台的中间位置设置有顶针,所述顶针的一端设置有夹板,所述夹板的一端设置有调节杆,所述调节杆的外表面设置有弹簧,所述调节杆的一端设置有调节螺母,所述顶针的顶端设置有第一缓冲器,所述第一缓冲器的底端设置有缓冲支杆,所述缓冲支杆的底端设置有第二缓冲器,所述第二缓冲器的外表面设置有顶针外壳,所述顶针的底端设置有顶针底座。

优选的,所述缓冲支杆共设置有四个,且四个缓冲支杆分别均匀设置在顶针外壳的内部,所述缓冲支杆的顶端设置有第一缓冲器,且第一缓冲器通过电焊固定连接在缓冲支杆上。

优选的,所述第二缓冲器通过电焊固定连接在缓冲支杆的底端。

优选的,所述夹板共设置有两个,且两个夹板分别固定连接在调节杆上。

优选的,所述共晶台与调节杆通过调节螺母固定连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过在共晶机的顶针上设置有缓冲装置,可以使得在半导体被顶出时,可以减少顶针的缓冲力,使得顶针对半导体的外表面损伤减小,增加了产品的成品率,通过在共晶台上设置有夹板,夹板卡槽的配合,可以使得半导体在共晶台上更加的稳定,使得共晶的误差减少。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏纳沛斯半导体有限公司,未经江苏纳沛斯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721406010.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top