[实用新型]一种气体中子探测器用高低压脉冲电源有效
申请号: | 201721384273.6 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN207530723U | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 王海涛;汤彬;王仁波;周书民;刘志锋;陈锐;张雄杰;瞿金辉 | 申请(专利权)人: | 东华理工大学 |
主分类号: | H02M9/02 | 分类号: | H02M9/02 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 胡里程 |
地址: | 344000*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中子探测器 高低压脉冲 输出高压 直流低压电源 直流高压电源 连续可调 同步脉冲 脉冲 电源 半桥式控制电路 脉冲中子测井 同步脉冲信号 本实用新型 脉冲占空比 气体探测器 高压MOS管 供电 交替导通 脉冲频率 中子探测 中子通量 半桥式 上桥臂 下降沿 下桥臂 占空比 低电 高电 饱和 输出 外部 | ||
1.一种气体中子探测器用高低压脉冲电源,包括CPLD控制芯片(2)、上桥臂隔离驱动(3)、下桥臂隔离驱动(7),其特征在于:同步脉冲信号(14)控制高压脉冲的频率和占空比,在直流高压电源(11)和直流低压电源(12)之间分别接入上下桥臂隔离驱动,通过上桥臂和下桥臂高压MOS管交替导通的方式来实现高低压脉冲输出,其中:CPLD控制芯片(2)根据同步脉冲信号(14)控制CPLD输出合适的时序,分别控制上桥臂隔离驱动(3)和下桥臂隔离驱动(7),所述上桥臂隔离驱动(3)包括DC-DC隔离电源(4)、隔离光耦(5)和上桥臂高压MOS管(6),所述下桥臂隔离驱动(7)包括DC-DC隔离电源(8)、隔离光耦(9)和下桥臂高压MOS管(10);+5V供电电源(1)与CPLD控制芯片(2)、上桥臂DC-DC隔离电源(4)、下桥臂DC-DC隔离电源(8)、直流高压电源(11)、直流低压电源(12)连接,上桥臂隔离光耦(5)与CPLD控制芯片(2)、上桥臂DC-DC隔离电源(4)、上桥臂高压MOS管(6)连接,下桥臂隔离光耦(9)与CPLD控制芯片(2)、下桥臂DC-DC隔离电源(8)、下桥臂高压MOS管(10)连接,直流高压电源(11)与上桥臂高压MOS管(6)连接,同步脉冲信号(14)与CPLD控制芯片(2)连接,高压脉冲电源输出与上桥臂高压MOS管(6)、下桥臂高压MOS管(10)连接,直流高压电源(11)和直流电低电源(12)的输出接气体中子探测器(13)的工作电极。
2.根据权利要求1 所述的气体中子探测器用高低压脉冲电源,其特征在于:所述CPLD控制芯片(2)的型号为XC9536,根据输入到CPLD接口的同步脉冲信号实现具体的时序切换,包括上下桥臂的导通、截止、死区时间控制;上桥臂隔离驱动(3)和下桥臂隔离驱动(7)均包括DC-DC隔离电源、隔离光耦和高压MOS管。
3.根据权利要求1 所述的气体中子探测器用高低压脉冲电源,其特征在于:所述直流高压电源(11)和直流电低电源(12)的型号为CC228P-13Y,输入工作电压为+12V,输出电压0~+1500V可调,直流高压电源(11)工作于气体中子探测器(13)的坪区电压,直流低压电源(12)工作于气体中子探测器(13)的坪区以下电压。
4.根据权利要求1 所述的气体中子探测器用高低压脉冲电源,其特征在于:所述气体中子探测器(13)的类型为3He正比计数管、涂硼正比计数管。
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