[实用新型]一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器有效
| 申请号： | 201721380947.5 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN207529932U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08;H01L29/74;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 晶闸管浪涌抑制器 扩散 本实用新型 再分布 衬底 刻蚀 三路 背面 芯片 过压保护功能 退火 氧化层生长 电流横向 封装工艺 金属淀积 芯片整合 电场 保护器 多通道 隔离区 集成度 接触孔 并联 钝化 多路 半导体 合金 电路 体内 流动 制作 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有三路保护的晶闸管浪涌抑制器，包括N型硅片（1），其特征在于：所述N型硅片（1）上分布有隔离区P+（2），所述N型硅片（1）表面生长有氧化层（8），所述N型硅片（1）正面有三个区域光刻有P-BASE区（3），所述P-BASE区（3）光刻有P+区（4）和N+区（5）,所述N型硅片（1）背面有两个区域光刻有N+区（6）和P+区（7），在所述氧化层（8）间隙刻蚀有电极（9），所述N型硅片（1）背面刻蚀有金属层（10）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
