[实用新型]一种新型带隙基准源电路有效
| 申请号： | 201721365466.7 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN207601665U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 马红玲;王岩琴;崔洪艺 | 申请（专利权）人： | 宁波德晶元科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 龙洋 |
| 地址： | 315104 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镜像电路 带隙基准源电路 负反馈放大电路 运算放大器 电阻 电路 本实用新型 基准电压 输出端 功耗 | ||
1.一种新型带隙基准源电路，其特征在于，包括：负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路；
所述负反馈放大电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器；
所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与电压VDD端连接；所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与运算放大器连接；
所述第一镜像电路包括：第一PNP型三极管Q1；
所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接；
所述第二镜像电路包括：第二PNP型三极管Q2；
所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接；
所述第二MOS管M2连接至基准电压输出端；
所述第一MOS管M1的漏极通过第一电阻R1连接至第一PNP型三极管Q1的发射极；所述第一PNP型三极管Q1的集电极接地；
所述第二MOS管M2的漏极通过第二电阻R2连接至第二PNP型三极管Q2的发射极；所述第二PNP型三极管Q2的集电极接地；
所述第一PNP型三极管Q1及第二PNP型三极管Q2的基极并联接地；
所述第一PNP型三极管Q1的发射极通过第一电阻R1还连接至运算放大器的同相输入端；
所述第二PNP型三极管Q2的发射极还连接至运算放大器的反相输入端；
所述电压VDD端分别连接至第一MOS管M1与第二MOS管M2的源极；
所述运算放大器的输出端分别连接至第一MOS管M1与第二MOS管M2的栅极；
所述第二MOS管M2的漏极连接至基准电压输出端。
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