[实用新型]新型扩散炉湿氧扩散装置有效
| 申请号: | 201721344053.0 | 申请日: | 2017-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN207303041U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 赵卫东;赵枫;赵雅;郭盼盼;杨冬琴;李永仓 | 申请(专利权)人: | 江苏东鋆光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/223 | 分类号: | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人: | 赵海波 |
| 地址: | 214421 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 新型 扩散 炉湿氧 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种新型的湿氧扩散工艺方式,通过对产线扩散炉的简单改造,在扩散工艺过程中通入水汽,起到湿氧扩散的目的,属于太阳能光伏技术领域。
背景技术
随着国内光伏市场的扩大,装机量不断增长,对电池片的需求也越来越旺盛,提高产能是目前电池片生产厂家的迫切需求,同时,由于激烈的市场竞争,对于电池片转换效率与质量的要求也在不断提高,新技术的研发应用成为电池片企业在竞争中取得优势的关键。扩散制作PN结技术是晶硅电池片生产的核心技术,如何在较短的时间获得性能优异的PN结是衡量扩散技术优劣的重要指标。传统的扩散工艺大部分采用软着陆的扩散炉进行扩散,产量及扩散效果经过工艺的多次改进已达到瓶颈。为提高产量,并获得较高性能的PN结,新的扩散工艺方式的研发已成为各电池厂技术攻关的重点。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的弱点和隐患,提供一种能有效提高扩散产能,同时获得较高性能的PN结的新型扩散炉湿氧扩散装置。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种新型扩散炉湿氧扩散装置,它包括低恒温槽和高恒温槽。在所述低恒温槽和高恒温槽中分别设置有源瓶和水汽瓶,所述源瓶和水汽瓶上均设置有出气口和进气口,且水汽瓶上设置有加水口,出气口位于液面上方,进气口位于液面下方,所述进气口与氮气气源连接,出气口与扩散炉的气体入口相连,扩散炉的气体入口同时与氧气气源连接。
经过实验优化后,低恒温槽的温度保持在20℃,高恒温槽的温度保持在50℃,低恒温槽的源瓶中存储POCl3溶液,高恒温槽的源瓶中存储水溶液。
与现有技术相比,本实用新型的特点在于:
本实用新型在扩散过程中导入湿氧扩散过程,不仅可以一定程度上降低源量,同时形成的较厚的氧化层可以很好降低表面扩散P的浓度,提高表面杂质分布的均匀性,形成较低表面浓度的PN结,并在增加扩散硅片数量的同时确保扩散均匀性,保证PN结质量的同时提高了产能。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型中水汽瓶的结构示意图。
其中:
低恒温槽 1
高恒温槽 2
源瓶 3
水汽瓶 4
出气口 5
进气口 6
加水口 7
扩散炉 8。
具体实施方式
以下结合实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1,2所示,本实用新型涉及一种新型扩散炉湿氧扩散装置,包括低恒温槽1和高恒温槽2,低恒温槽1的温度保持在20℃,高恒温槽2的温度保持在50℃,在所述低恒温槽1和高恒温槽2中分别设置有源瓶3和水汽瓶4,所述源瓶3和水汽瓶4均上设置有出气口5和进气口6,在所述水汽瓶4上设置有加水口7,出气口5位于液面上方,进气口6位于液面下方,低恒温槽1的源瓶3中存储POCl3溶液,高恒温槽2的水汽瓶4中存储水溶液,通过恒温槽对瓶中的溶液加热并使瓶中溶液保持温度恒定,所述进气口6与氮气气源连接,出气口5与扩散炉8的气体入口相连,扩散炉8的气体入口同时与氧气气源连接,通过向瓶中通入氮气,气体由出气口携带水汽进入扩散炉管,使扩散炉管内形成湿氧环境,起到湿法氧化的作用。
所述的水汽瓶通气方式模拟通源的过程,进气口位于水面下,出气口位于水面上,通过恒温槽加热提高水汽量,同时通过恒温、流量设定控制进气量,使得湿氧扩散过程得到有效控制。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





