[实用新型]逆变器

权利要求书

1.一种逆变器，其特征在于，包括壳体、设置于所述壳体上的直流输入接口和交流输出接口以及位于所述壳体内部的电压电流转换模块；所述直流输入接口适用于连接外部可移动的直流电源设备；所述电压电流转换模块的输入端连接所述直流输入接口，从所述可移动的直流电源设备输入直流电，并将输入的直流电转换为交流电，且所述电压电流转换模块的输出端连接所述交流输出接口，将转换后的交流电输出到所述交流输出接口；所述交流输出接口适用于连接外部交流电设备，以为所述交流电设备提供电能。

2.根据权利要求1所述的逆变器，其特征在于，所述电压电流转换模块经所述直流输入接口从外部可移动的直流电源设备输入的直流电为低压直流电；且所述电压电流转换模块输出到所述交流输出接口的交流电的电压比所述低压直流电的电压幅值高。

3.根据权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述电压电流转换模块包括升压模块、DC/AC模块、电磁干扰滤波器及过流保护电路；

所述升压模块包括顺次连接的MOS开关、升压变压器及整流滤波电路；还包括对所述MOS开关进行通断控制的占空比调节电路，所述占空比调节电路的输入端连接所述升压变压器的输出端，所述占空比调节电路的输出端连接所述MOS开关；经所述升压模块升压后的直流电通过所述整流滤波电路的输出端输出到所述DC/AC模块；

所述电磁干扰滤波器的输入端与所述DC/AC模块的输出端连接，所述过流保护电路的输入端连接所述电磁干扰滤波器的输出端，所述过流保护电路的输出端连接所述DC/AC模块。

4.根据权利要求3所述的逆变器，其特征在于，所述电压电流转换模块还包括连接在所述直流输入接口和所述升压模块之间的滤波电容。

5.根据权利要求2所述的逆变器，其特征在于，所述电压电流转换模块包括直流升压电路及与所述直流升压电路串联的逆变电路，所述直流升压电路的输出端与所述逆变电路的输入端连接，所述直流升压电路的输入端与所述直流输入接口连接，所述逆变电路的输出端与所述交流输出接口连接；

经所述升压电路升压后的直流电通过所述逆变电路转换成交流电并从所述交流输出接口输出。

6.根据权利要求5所述的逆变器，其特征在于，所述直流升压电路包括升压电感、升压开关元件、升压单向导通元件及第一电容；

所述升压电感的一端电连接至所述直流输入接口的正极，所述升压电感的另一端与所述升压开关元件的输入端及所述升压单向导通元件的输入端相连，所述升压单向导通元件的输出端与第一电容的输入端相连，所述第一电容的输出端与所述升压开关元件的输出端均连接至所述直流输入接口的负极，所述升压开关元件为GaN开关场效应管。

7.根据权利要求5所述的逆变器，其特征在于，所述直流升压电路包括升压电感、第一开关元件、第二开关元件及第一电容；

所述升压电感的一端电连接至所述直流输入接口的正极，所述升压电感的另一端与所述第一开关元件及第二开关元件输入端连接，所述第二开关元件的输出端与第一电容的输入端相连，且第一电容的输出端以及第一开关元件的输出端均连接至所述直流输入接口的负极，所述第一开关元件和第二开关元件为同步整流开关，且二者至少一个为GaN开关场效应管。

8.根据权利要求5所述的逆变器，其特征在于，所述逆变电路包括至少四个逆变半导体元件以及一个逆变单向导通元件组成的H型逆变桥，所述逆变半导体元件为GaN逆变场效应管。

9.根据权利要求8所述的逆变器，其特征在于，所述GaN逆变场效应管包括与GaN逆变场效应管电连接的用于驱动GaN逆变场效应管的驱动场效应管，且驱动场效应管的电压值小于等于30V。

10.根据权利要求6或7所述的逆变器，其特征在于，所述第一电容为极性电容。

11.根据权利要求10所述的逆变器，其特征在于，所述极性电容可以为电解电容或金属电容中的其中一种。