[实用新型]具有环形电极的发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管，更具体地是具有环形电极的发光二极管。

背景技术

发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是一种当PN结处于正偏压情况下即会发光的半导体二极管。LED具有体积小、重量轻、结构牢固、抗冲击和抗震能力强、寿命长、环保无污染等诸多优点，已成为近年来最受重视的光源技术之一。

参照图1和图2所示，在常规正装LED芯片结构中，包括：衬底100，由下往上堆叠的N型层101、发光层102、P型层103、P电极104、设置在N型层101裸露表面上的N电极105以及形成于LED芯片表面除电极之外区域的绝缘保护层106。参照图3所示，该LED芯片结构用于封装端时，一般需要经过焊线，即需要在LED芯片的电极结构上制作焊垫（金球或合金球），并用金线或者合金线连接至封装基板（图中未示出）。常规的LED芯片结构存在一些不足，比如电极结构容易吸收发光层发出的光线而限制发光效率的提高；电极结构与绝缘保护层需要通过开两道黄光光罩工艺形成，成本较高。

发明内容

为解决上述现有技术中存在的不足，本实用新型提出具有环形电极的发光二极管，包括：衬底，由下往上堆叠的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第二电极、设置在第一型半导体层裸露表面上的第一电极以及形成于发光二极管表面除电极之外区域的第一绝缘保护层；其特征在于：所述第一电极与第二电极至少之一为环形电极，且所述环形电极包围一第二绝缘保护层。

在本实用新型中，优选地，所述第二绝缘保护层的外径与环形电极的外径比例介于50%~75%之间。

更优选地，所述第二绝缘保护层的外径与环形电极的外径比例介于60%~65%之间。

优选地，所述第二绝缘保护层的外径小于或等于所述环形电极的内径。

优选地，所述第二绝缘保护层的厚度小于或等于所述环形电极的厚度。

优选地，所述第二绝缘保护层的中心与所述环形电极的中心相一致。

优选地，所述第二绝缘保护层包括分布布拉格反射层。

优选地，所述第一绝缘保护层为氮化镁(Mg_xN_y)或氮化硅(Si_xN_y)或氧化硅(Si_xO_y)或氧化钛(Ti_xO_y)或氧化锆(Zr_xO_y)或氧化铪(Hf_xO_y)或其前述任意组合之一。

优选地，所述第二绝缘保护层为氮化镁(Mg_xN_y)或氮化硅(Si_xN_y)或氧化硅(Si_xO_y)或氧化钛(Ti_xO_y)或氧化锆(Zr_xO_y)或氧化铪(Hf_xO_y)或其前述任意组合之一。

优选地，所述第一绝缘保护层材料与所述第二绝缘保护层材料相同或者不相同。

相较于现有技术，本实用新型至少包括以下有益效果：

（1）藉由位于环形电极中的第二绝缘保护层的折射率低于发光层的折射率，当光到达绝缘保护层时会由于折射率差而将光全反射出去，从而减少金属电极吸光的问题，提升亮度，增加LED的发光效率。

（2）位于环形电极中的第二绝缘保护层，可以充当电流阻挡层的作用，有助于改善电流扩散。

（3）采用环形电极结构设计，有效地节省了金属层用量，增加贵金属的回收，降低生产成本。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为常规正装的氮化镓基LED芯片的结构剖视示意图。

图2为常规正装的氮化镓基LED芯片的结构俯视示意图。