[实用新型]乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统有效
申请号: | 201721341915.4 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN207572074U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 陆金琪 | 申请(专利权)人: | 上海阿波罗机械股份有限公司 |
主分类号: | G21F5/008 | 分类号: | G21F5/008;G21F5/06 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 韩双宏 |
地址: | 201401 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浇注 内部加热装置 外部加热装置 铅体 铅液 修补系统 贮存容器 乏燃料 屏蔽层 屏蔽腔 加热 本实用新型 放射性试验 范围扩大 浇注口处 冷却装置 冒口位置 凝固过程 缺陷位置 筒体外壁 加热片 内筒体 外筒体 冒口 重熔 冷却 凝固 检测 外部 移动 | ||
本实用新型涉及一种乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统,通过放射性试验检测可以确定浇注缺陷所在位置,然后通过设于内筒体中的内部加热装置和设于外筒体外部的外部加热装置自浇注口处向下逐层地加热而将屏蔽腔中的铅体重熔成铅液,外部加热装置和内部加热装置最终移动至浇注缺陷所在位置处而将加热范围扩大到浇注缺陷位置以上至冒口位置的区域,从而使得浇注缺陷以上位置至冒口处的铅体均被重熔成铅液;然后再自下向上地提升外部加热装置并自下向上地关闭内部加热装置对应位置的加热片,冷却装置自下向上地对外筒体外壁进行冷却,从而使得屏蔽腔中的铅液重新凝固而在重新凝固过程中消除浇注缺陷。
技术领域
本实用新型涉及一种乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统及方法,属于一种用于制造放射性废料的贮存容器及其制造工艺。
背景技术
从核电站反应堆中卸出来的乏燃料具有高放射性,目前国际上对于该乏燃料的处理方式主要是临时贮存,等待对乏燃料的后处理。国际上对于临时贮存的方式有两种:露天放置的干式贮存和存放在硼水池中的湿式贮存。
乏燃料干式贮存的方法将是利用贮存容器贮存乏燃料,贮存容器需要具有屏蔽射线的屏蔽层,一般采用铅作为屏蔽层,屏蔽层的有效厚度102.5mm,屏蔽腔体厚度为104.5mm。为了保证铅屏蔽层的屏蔽效果,就需要使用适用于为乏燃料屏蔽容器灌铅的灌铅系统和方法,以保证灌铅质量。但并不能保证灌铅质量全部合格,有时候会出现灌铅质量不合格的产品,乏燃料贮存容器造价昂贵,如果直接将灌铅浇注质量不合格的产品报废,则损失巨大。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统及方法,能够消除贮存容器铅体屏蔽层的浇注缺陷。
为实现上述目的,本实用新型提供一种乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统,所述贮存容器的半成品件包括内筒体和套在内筒体外侧的外筒体,内筒体上下两端开口,内筒体和外筒体之间具有环形的屏蔽腔,屏蔽腔上端具有灌铅口,屏蔽腔中具有凝固的铅体屏蔽层;还包括支撑工装、冷却装置、外部加热装置、内部加热装置和测温装置;所述支撑工装用于安装在内筒体中支撑内筒体内壁以防止内筒体受热变形;所述冷却装置设于外筒体外侧;所述外部加热装置设于外筒体的外侧用以加热外筒体,所述内部加热装置设于内筒体内侧用以加热内筒体,外部加热装置与起吊机构连接;所述测温装置包括设于内筒体的内壁上的测温电偶、设于外筒体外壁上的测温电偶及设于冒口处的可上下移动的可移动式测温电偶。
如上所述,本实用新型涉及的一种乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统,具有以下有益效果:在贮存容器的半成品件灌铅之后,会对贮存容器的半成品件进行放射性试验检测以确定灌铅浇注质量是否合格,若贮存容器的半成品件灌铅浇注质量不合格,通过放射性试验检测可以确定浇注缺陷所在位置,然后通过设于内筒体中的内部加热装置和设于外筒体外部的外部加热装置自浇注口处向下逐层地加热而将屏蔽腔中的铅体重熔成铅液,外部加热装置和内部加热装置最终移动至浇注缺陷所在位置处而将加热范围扩大到浇注缺陷位置以上至冒口位置的区域,从而使得浇注缺陷以上位置至冒口处的铅体均被重熔成铅液;然后再自下向上地提升外部加热装置并自下向上地关闭内部加热装置对应位置的加热片,冷却装置自下向上地对外筒体外壁进行冷却,从而使得屏蔽腔中的铅液重新凝固。这样,浇注缺陷位置的铅体重熔成铅液,最后可以在重新凝固过程中消除浇注缺陷。由此可见,本实用新型的乏燃料贮存容器铅体屏蔽层浇注缺陷的修补系统及方法,能够消除贮存容器铅体屏蔽层的浇注缺陷,从而节约贮存容器的制造成本,作业方法简单,操作方便。
优选地,所述可移动式测温电偶上设有配重块。由于铅液密度较大,可移动式测温电偶受到铅液的浮力而难以下沉,配重块能够使可移动式测温电偶克服铅液的浮力而下沉至屏蔽腔底部以检测屏蔽腔底部的温度。
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