[实用新型]一种快速响应LDO电路

说明书

本实用新型公开了一种快速响应LDO电路，包括：偏置电路、快速反应电路、负载电路；所述偏置电路由：PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器AMP构成，所述快速反应电路由：PMOS晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、M10、M13、M15、电容C1构成，所述负载电路由电容C_L、电阻R_L构成，本实用新型跟现有技术对比具有快速瞬态响应的特点。

技术领域

本实用新型涉及一种调节电变量或磁变量的系统，特别涉及一种 LDO(LowDropout Regulator，LDO，低压差线性稳压器)电路。

背景技术

几乎所有的电子电路都需要一个稳定的电压源，它维持在特定容差范围内，以确保正确运行(典型的CPU电路只允许电压源与额定电压的最大偏离不超过±3％)。该固定电压由某些种类的稳压器提供。 LDO电路就是其中的一种稳压器。

如图1所示，传统的LDO电路包括：基准电压V_ref、误差放大器EA、功率管a1、电阻分压器a2、电流源a3。该LDO电路通过电阻分压器a2自动检测输出电压V_out，误差放大器EA不断调整电流源 a3从而维持输出电压V_out稳定在额定电压上。该结构的LDO电路存在负载瞬态响应能力不高的问题。然而随着集成电路的不断发展，传统的LDO结构已经不能满足低功耗、大负载电流、高电源抑制比、良好的瞬态响应等要求，因此亟需设计出新型电路。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可快速应对负载变化、具有良好瞬态响应的LDO电路。

本实用新型解决其技术问题的解决方案是：一种快速响应LDO 电路，包括：偏置电路、快速反应电路、负载电路；所述偏置电路由： PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器 AMP构成，所述M1的源极与地GND连接，所述M1的栅、漏极、所述M2的源极分别与所述运算放大器AMP的同相输入端连接，所述运算放大器AMP的反相输入端连接输入参考电压V_ref，所述M2 的漏、栅极、所述运算放大器AMP的输出端、所述M3的漏、栅极分别连接于第一节点a，所述第一节点a与所述偏置电路的驱动电源V_mir连接，所述M4的漏、栅极相互连接并与所述M3的源极连接，所述M5的漏、栅极相互连接并与所述M4的源极连接，所述M5的源极与地GND连接，所述M1、M2的衬底与电源VDD连接，所述 M3、M4、M5的衬底与地GND连接；所述快速反应电路由：PMOS 晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、 M10、M13、M15、电容C1构成，所述M6的栅、漏极相互连接并与所述M7的源极连接，所述M7的栅、漏极相互连接并与所述M8 的漏极、所述M10的栅极连接，所述M8的栅极与所述M14的栅极连接，所述M8的源极、所述M14的漏极、所述M15的源极分别连接于第二节点A，所述M15的源极与地GND连接，所述M9的栅、漏极分别与所述M12的栅极、所述M10的漏极连接，所述M11的栅、漏极分别与所述M12的源极连接，所述M12的漏极分别与所述M13 的栅、漏极、所述MP的栅极、所述电容C1的一端连接，所述M10 的源极、所述M13的源极、所述电容C1的另一端分别与地GND连接，所述MP的漏极与所述M14的源极连接，所述M6、M9、M11、 MP的源极分别与电源VDD连接，所述M6、M7、M9、M11、M12、 M14、MP的衬底与电源VDD连接，所述M8、M10、M13、M15的衬底与地GND连接；所述负载电路由电容C_L、电阻R_L构成，所述电容C_L、电阻R_L互相并接；所述运算放大器AMP的反相输入端与所述M8的栅极连接，所述M5的栅、漏极分别与所述M15的栅极连接，所述负载电路的一端分别与所述MP的漏极、所述M14的源极连接于第三节点C，所述第三节点C与所述快速响应LDO电路的输出端b1连接。

进一步，所述PMOS晶体管MP为功率管。