[实用新型]逆变器及其电压尖峰吸收电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及逆变器领域，特别涉及一种逆变器及其电压尖峰吸收电路。

背景技术

现有逆变器大都采用如图3所示的普通RC吸收电路，响应时间慢，功耗大，效率低。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术对应的不足，提供一种逆变器及其电压尖峰吸收电路，该电压尖峰吸收电路采用双向瞬态抑制二极管（TVS管）星形连接后使得电压尖峰吸收电路中的尖峰电压被双向TVS管箝位于两倍VC(VC为TVS管最大箝位电压)，并且箝位电压可控，响应时间快，瞬态功率大，效率高。

本实用新型的目的是采用下述方案实现的：一种逆变器电压尖峰吸收电路，包括三个双向瞬态抑制二极管，第一双向瞬态抑制二极管TVS1的一端与逆变器的第一输入端IN1连接，第二双向瞬态抑制二极管TVS2的一端与逆变器的第二输入端IN2连接，第三双向瞬态抑制二极管TVS3的一端与逆变器的第三输入端IN3连接，所述双向第一瞬态抑制二极管TVS1的另一端与第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接。

一种电压尖峰吸收电路，包括三个双向瞬态抑制二极管，第一双向瞬态抑制二极管TVS1的一端与逆变器的第一输入端IN1连接，第二双向瞬态抑制二极管TVS2的一端与逆变器的第二输入端IN2连接，第三双向瞬态抑制二极管TVS3的一端与逆变器的第三输入端IN3连接，所述第一双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接后再串联RC吸收电路。

所述RC吸收电路包括并联的电阻R和电容C，电阻R与电容C并联后的一端与第一双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端、第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接，电阻R与电容C并联后的另一端接地。

一种逆变器，包括上述电压尖峰吸收电路。

本实用新型具有的优点是：本实用新型的电压尖峰吸收电路采用双向瞬态抑制二极管(TVS管)星形连接后使得本实用新型的电压尖峰吸收电路中的尖峰电压被TVS管箝位于两倍VC(VC为TVS管最大箝位电压)，并且箝位电压可控，响应时间快，瞬态功率大，效率高。

附图说明

图1为本实用新型的电压尖峰吸收电路的实施例一的电路图；

图2为本实用新型的电压尖峰吸收电路的实施例二的电路图；

图3为普通RC吸收电路的电路图。

具体实施方式

实施例一

参见图1，一种电压尖峰吸收电路，包括三个双向瞬态抑制二极管，第一双向瞬态抑制二极管TVS1的一端与逆变器的第一输入端IN1连接，第二双向瞬态抑制二极管TVS2的一端与逆变器的第二输入端IN2连接，第三双向瞬态抑制二极管TVS3的一端与逆变器的第三输入端IN3连接，所述第一双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接。

实施例二

参见图2，一种电压尖峰吸收电路，包括三个双向瞬态抑制二极管，第一双向瞬态抑制二极管TVS1的一端与逆变器的第一输入端IN1连接，第二双向瞬态抑制二极管TVS2的一端与逆变器的第二输入端IN2连接，第三双向瞬态抑制二极管TVS3的一端与逆变器的第三输入端IN3连接，所述第一双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接后再串联RC吸收电路。

所述RC吸收电路包括并联的电阻R和电容C，电阻R与电容C并联后的一端与第一双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端、第二双向瞬态抑制二极管TVS2的另一端、第三双向瞬态抑制二极管TVS3的另一端连接，电阻R与电容C并联后的另一端接地。

实施例三

参见图1，一种逆变器，包括实施例一的电压尖峰吸收电路，逆变器的第一输入端IN1分别与第一整流二极管D1的阳极、第一可控硅S1的阴极连接，逆变器的第二输入端IN2分别与第二整流二极管D2的阳极、第二可控硅S2的阴极连接，逆变器的第三输入端IN3分别与第三整流二极管D3的阳极、第三可控硅S3的阴极连接，所述第一整流二极管D1的阴极、第二整流二极管D2的阴极、第三整流二极管D3的阴极均与逆变器的直流母线电压正极连接，所述第一可控硅S1的阳极、第二可控硅S2的阳极、第三可控硅S3的阳极均接地。

实施例四