[实用新型]化学机械式研磨装置有效
申请号: | 201721327245.0 | 申请日: | 2017-10-16 |
公开(公告)号: | CN207289796U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 禹相政 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34;B24B49/00;B24B49/14 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 姜虎,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械式 研磨 装置 | ||
1.一种化学机械式研磨装置,用于对基板进行研磨,其特征在于,包括:
研磨垫,其与基板接触;
测量部,其配置于所述研磨垫的下部,测量包含所述研磨层的厚度信息的信号;
温度测量部,其测量所述研磨层的温度;
厚度检测部,将由所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差反映在所述测量部测量的信号中,从而检测所述研磨层的厚度。
2.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差,按照所述研磨垫的不同的温度条件,预先存储于数据库。
3.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
还包括距离测量部,所述距离测量部测量所述测量部与所述研磨层之间的距离;
所述厚度检测部在反映由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上,检测出所述研磨层的厚度。
4.根据权利要求3所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述距离测量部包括:
超声波传感器,其配置于所述研磨垫的下部,向所述研磨垫的上部方向发射超声波;
检测器,其感知从所述研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号,从而测量所述测量部与所述研磨层之间的距离。
5.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述测量部和所述温度测量部安装于所述研磨盘上。
6.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
在所述研磨盘形成有贯通部,
所述测量部和所述温度测量部配置于所述贯通部的下部。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述测量部测量包含所述研磨层的厚度信息的涡电流信号。
8.一种化学机械式研磨装置,用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨,其特征在于,包括:
研磨垫,其配置于研磨盘的上面,与所述基板接触;
测量部,其配置于所述研磨垫的下部,在沿着所述研磨层的半径方向的多个地点,测量包含所述研磨层的厚度信息的信号;
厚度检测部,向按照测量所述信号的所述多个地点由所述测量部所测量的所述信号中,对与所述信号一同测量的研磨环境变数导致的测量误差进行补偿,从而检测所述研磨层的厚度。
9.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
包括测量所述研磨层的温度的温度测量部,
所述厚度检测部在反映所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差的基础上,检测所述研磨层的厚度。
10.根据权利要求9所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差,按照所述研磨层的不同的温度条件,预先存储于数据库。
11.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
包括测量所述测量部与所述研磨层之间距离的距离测量部,
所述厚度检测部在反映由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上,检测所述研磨层的厚度。
12.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,包括:
温度测量部,其测量所述研磨层的温度;
距离测量部,其测量所述测量部与所述研磨层之间的距离;
所述厚度检测部在反映所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差、以及由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上,检测所述研磨层的厚度。
13.根据权利要求11或12所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述距离测量部包括:
超声波传感器,其配置于所述研磨垫的下部,向所述研磨垫的上部方向发射超声波;
检测器,其感知从所述研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号,从而测量所述测量部与所述研磨层之间的距离。
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