[实用新型]一种磁材镀膜设备

说明书

本实用新型涉及一种磁材镀膜设备，包括托板，依次连接且均设有滚筒传送机构的进片室、前缓冲室、镀膜室、后缓冲室、后过渡室、出片室；连通的前缓冲室、镀膜室、后缓冲室形成相通的真空室；用于装载磁材的托板放置在滚筒传送机构上，镀膜室内设有多个磁控靶，磁控靶位于磁材的上方；出片室处设有氮气循环冷却装置，氮气循环冷却装置的出口与出片室相通，氮气循环冷却装置的入口与出片室相通，氮气循环冷却装置的入口和氮气循环冷却装置的出口沿着托板的传输路径的前进方向依次布置。本实用新型的磁材镀膜设备，成本低、镀膜质量好，属于磁材镀膜的技术领域。

技术领域

本实用新型涉及磁材镀膜的技术领域，尤其涉及一种磁材镀膜设备。

背景技术

磁材真空镀膜一般需要镀制的膜层厚度约为20um，磁材只要在镀膜室里反复走动多次就可以镀制出理想的膜层。但是，目前镀制比较厚的膜层，一般都是增加镀膜室的长度，并增加磁控靶的数量，从而实现在磁材上镀制比较厚的膜层。磁材走出镀膜室时的温度达到100℃，如果直接走到大气环境，容易出现氧化。这就需要磁材镀膜完后进行一个冷却工序，磁材需要在50℃以下才能走到大气。以往多采用液氮对磁材进行急冷，但是液氮的使用成本比较高。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的是：提供一种成本低、镀膜质量好的磁材镀膜设备。

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种磁材镀膜设备，包括托板，依次连接且均设有滚筒传送机构的进片室、前缓冲室、镀膜室、后缓冲室、后过渡室、出片室；进片室的入口处设有真空锁，进片室和前缓冲室之间设有真空锁，后缓冲室和后过渡室之间设有真空锁，后过渡室和出片室之间设有真空锁，出片室的出口处设有真空锁；连通的前缓冲室、镀膜室、后缓冲室形成相通的真空室；用于装载磁材的托板放置在滚筒传送机构上，镀膜室内设有多个磁控靶，磁控靶位于磁材的上方；出片室处设有氮气循环冷却装置，氮气循环冷却装置的出口与出片室相通，氮气循环冷却装置的入口与出片室相通，氮气循环冷却装置的入口和氮气循环冷却装置的出口沿着托板的传输路径的前进方向依次布置。

进一步的是：氮气循环冷却装置包括热交换器、管道组件、风机；管道组件包括第一管道、第二管道、插入管；热交换器内设有氮气通道和冷却水通道，第一管道、热交换器的氮气通道、第二管道形成相通的气流通道，风机的入口连接在第二管道上，风机的出口连接在插入管上，第一管道的端部与出片室相通，插入管插入出片室内。

进一步的是：插入管的出口位于滚筒传送机构处。

进一步的是：热交换器的氮气通道的一端通过柔性管与第一管道连接，热交换器的氮气通道的另一端通过柔性管与第二管道连接。

进一步的是：多个磁控靶沿着托板的传输路径的前进方向依次设置在镀膜室上，每个磁控靶上均设有磁材传感器。

进一步的是：镀膜室上设有两个托板传感器，多个磁控靶位于两个托板传感器之间。

进一步的是：进片室的入口端设有进料架，出片室的出口端设有出料架。

进一步的是：进料架和出料架处均设有输送机构，输送机构的输送通道与滚筒传送机构的传送通道处于同一高度上。

进一步的是：镀膜设备还包括室下传送机构，室下传送机构的一端位于进料架处，室下传送机构的另一端位于出料架处；进料架和出料架处均设有升降机构，升降机构降至最低处时，升降机构与室下传送机构相接，升降机构升至最高处时，升降机构与输送机构相接。

进一步的是：进片室、前缓冲室、镀膜室、后缓冲室、后过渡室、出片室均设有抽真空机组；进片室上设有离子清洗装置。

总的说来，本实用新型具有如下优点：

1.磁材镀膜设备可以根据磁性材料镀厚膜要求，膜层需多次镀制而成，磁材在镀膜区反复来回移动。