[实用新型]片上恒定电压产生电路及芯片有效
| 申请号: | 201721310002.6 | 申请日: | 2017-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN207234673U | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
| 发明(设计)人: | 陈朝勇;李华锋 | 申请(专利权)人: | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)35219 | 代理人: | 林祥翔,徐剑兵 |
| 地址: | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 恒定 电压 产生 电路 芯片 | ||
1.一种片上恒定电压产生电路,其特征在于,包括降压电路、电流控制电路、电压采样电路、反馈电路;
所述降压电路输入端与片外输入电压连接,降压电路输出端与电流控制电路输入端连接,所述电流控制电路输出端与恒压输出端连接,电流控制电路输出端还与采样电路输入端连接,所述采样电路输出端与反馈电路输入端连接,所述反馈电路的第一控制端与降压电路控制端连接,所述反馈电路的第二控制端与电流控制电路控制端连接;
所述降压电路用于将片外输入电压转换为低压输出,所述电流控制电路用于将低压输出转换为恒压输出;所述采样电路用于采集恒压输出等效信号;所述反馈电路用于接受恒压输出等效信号并根据恒压输出等效信号生成控制信号发送给降压电路或电流控制电路。
2.根据权利要求1所述的片上恒定电压产生电路,其特征在于,所述降压电路包括高压MOS管。
3.根据权利要求1所述的片上恒定电压产生电路,其特征在于,所述电流控制电路包括场效应管NM1,NM1的漏极与电流控制电路输入端连接,源极与电流控制电路输出端连接,栅极与电流控制电路控制端连接。
4.根据权利要求1所述的片上恒定电压产生电路,其特征在于,所述电压采样电路包括降压元,所述降压元的一端与采样电路输入端连接,另一端与采样电路输出端连接。
5.根据权利要求1所述的片上恒定电压产生电路,其特征在于,所述反馈电路包括比较电路、NMOS控制管;所述比较电路的一输入端与反馈电路输入端连接,比较器输出端与NMOS控制管的栅极连接,NMOS控制管的漏极与反馈电路的第一、第二控制端连接。
6.一种芯片,其特征在于,包括根据权利要求1-5任一项所述的片上恒定电压产生电路,高压输入管脚;所述片上恒定电压产生电路与高压输入管脚直接连接。
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