[实用新型]一种IGBT双路均压控制调节电路有效
申请号: | 201721307965.0 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN207442689U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 蒋小毛 | 申请(专利权)人: | 深圳市鼎业电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人: | 曹明兰 |
地址: | 518101 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 主DSP模块 均压控制 双路 电路 电子电路技术 实时控制电路 电路结构 精准控制 控制电路 驱动电路 数据通讯 均压 通断 | ||
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其是一种IGBT双路均压控制调节电路。它包括FPGA模块、主DSP模块、第一从DSP模块、第二从DSP模块、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一IGBT电路和第二IGBT电路。本实用新型通过FPGA模块和主DSP模块进行数据通讯,同时分别控制第一从DSP模块和第二从DSP模块进行整体均压调节,提高数据精准控制;并且,利用多个MOS管构成两驱动电路,控制电路的通断,方便实时控制电路工作,其电路结构简单,具有很强的实用性。
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其是一种IGBT双路均压控制调节电路。
背景技术
众所周知,机械-固态半导体混合式以及纯固态式直流断路器的发明和使用为大规模高压直流输电系统的发展提供了新的契机。在纯固态直流断路器中,通常将大功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor, IGBT)串联起来以承受断路器关断过程中的过电压。但是,由于大功率的IGBT 价格昂贵且对瞬态过电压十分敏感,所以串联IGBT关断过程中的均压问题需要得到充分的考虑。
目前。现有的均压调节电路还不能全面的对电路进行均压控制,往往会因为电路参数不同而大大影响均压调节,而一旦如此将对IGBT的工作带来严重的影响,甚至将IGBT进行损坏。
实用新型内容
针对上述现有技术中存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种使用方便和功能多样的IGBT双路均压控制调节电路。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种IGBT双路均压控制调节电路,它包括FPGA模块、主DSP模块、第一从DSP模块、第二从DSP模块、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一IGBT电路和第二IGBT电路;
所述FPGA模块与主DSP模块电性连接,所述FPGA模块通过光纤与第一从DSP模块连接并通过光纤与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接,所述第一从DSP模块还与第一MOS管和第二MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极同时通过第一电阻与第一IGBT电路连接;
所述主DSP模块通过光纤与第二DSP模块连接并通过光纤与第三MOS管和第四MOS管的栅极连接,所述第二从DSP模块还与第三MOS管和第四MOS 管的栅极连接,所述第三MOS管的源极和第四MOS管的漏极同时通过第二电阻与第二IGBT电路连接;
所述第一IGBT电路和第二IGBT电路串联。
优选地,它还包括第一ADC采集模块和第二ADC采集模块,所述第一ADC 采集模块一端与第一IGBT电路连接、另一端与第一从DSP模块连接,所述第二ADC采集模块一端与第二IGBT电路连接、另一端与第一从DSP模块连接。
优选地,所述第一IGBT电路包括第一IGBT管,所述第一IGBT管的集电极与第一ADC采集模块连接并通过第一二极管与自身的发射极连接,所述第一IGBT管的发射极与第二IGBT电路连接,所述第一IGBT管的集电极和发射极并联有依次串联的第三电阻和第一电容。所述第三电阻并联有第二二极管。
优选地,所述第二IGBT电路包括第二GBT管,所述第二GBT管的集电极与第二ADC采集模块连接并与第一IGBT电路连接,所述第二GBT管的集电极通过第三二极管与自身的发射极连接,所述第二GBT管的集电极和发射极并联有依次串联的第四电阻和第二电容,所述第四电阻并联有第四二极管。
由于采用了上述方案,本实用新型通过FPGA模块和主DSP模块进行数据通讯,同时分别控制第一从DSP模块和第二从DSP模块进行整体均压调节,提高数据精准控制;并且,利用多个MOS管构成两驱动电路,控制电路的通断,方便实时控制电路工作,其电路结构简单,具有很强的实用性。
附图说明
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