[实用新型]一种光刻工艺中的晶圆结构

说明书

一种光刻工艺中的晶圆结构，涉及半导体集成电路制造技术领域，包括一硅晶圆，所述硅晶圆上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜，本申请提供一种晶圆结构，使对准标记可以在外延过程得到保护，在外延工艺后，通过刻蚀工艺可以使对准标记恢复，结构简单，制造方便。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻工艺中的晶圆结构。

背景技术

如图1所示，其中1ˊ为硅晶圆，2ˊ为对准标记，光刻是将掩膜版(mask)上图形形式的电路结构通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的硅片表面的工艺过程。光刻工艺会在硅片表面形成一层光刻胶掩蔽图形，其后续工艺是刻蚀或离子注入。半导体集成电路制造中，通常需要经过多次光刻工序。其中形成硅片第一层(最下层)图形的光刻称为零层光刻。零层光刻与刻蚀所形成的硅片第一层图形称为对准标记，对准标记是供后续光刻时对准之用的。

套刻精度是光刻工艺的重要表征参数，实现从设计回路图形通过光刻胶转移到硅基板，光刻图形的转移过程要遵循精确和无偏差两大原则，而要实现无偏差就要保证光刻的对准可以进行并且有保证。

参见图2所示，其中3ˊ为不透明外延层，在形成对准标记之后，往往跟随有外延工艺，即在硅片表面生长从几微米到十几微米甚至更厚的不透明外延层，对准标记直接刻蚀硅形成，不透明外延层覆盖在同质的对准标记上，常常产生薄雾、滑移线、层错、穿刺等缺陷。这些缺陷对光刻对准有很大的影响，尤其是新世代SJ MOSFET中20～40μm的外延层会使得光刻对准标记产生非常严重地畸变甚至消失而完全无法对准。

发明内容

为了解决上述提到的问题，本申请提供一种晶圆结构，使对准标记可以在外延过程得到保护，在外延工艺后，通过刻蚀工艺可以使对准标记恢复，结构简单，制造方便，其技术方案如下：

一种光刻工艺中的晶圆结构，包括一硅晶圆，所述硅晶圆上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜。

进一步地，所述透明介质膜厚度为500埃到1微米。将透明介质膜厚度限制为500埃到 1微米之间，厚度适中，其仅需一层透明介质膜，便可为后续对准标记上方的不透明外延层刻蚀提供足够的阻挡层，同时由于其仅为简单的一层透明介质膜，相比于其他工艺形成的多层膜结构，该透明介质膜制造工艺简单、快速，大大提高了生产效率。

进一步地，所述透明介质膜覆盖范围大于对准标记至少200微米。

进一步地，所述透明介质膜为二氧化硅或硼磷硅玻璃。

依据上述技术方案，本实用新型利用透明介质膜覆盖对准标记后，再做外延工艺时，不透明外延层在对准标记区域生长在不同质的透明介质膜上；不透明外延完成后，可以做刻蚀工艺，将对准标记上方的不透明外延层刻蚀掉；刻蚀过程中对准标记因为有透明介质膜保护，不会被破坏；透明介质膜采用二氧化硅，或硼磷硅玻璃材质，透明可视，不会影响后续的对准标记的可见性。

附图说明

图1为现有技术的常规晶圆结构；

图2为图1经外沿后的结构图；

图3为本实用新型的结构示意图；

图4为图3经生长完外延层并去除对准标记上部外延层后的晶圆结构示意图。

其中，1ˊ、硅晶圆；2ˊ、对准标记；3ˊ、不透明外延层；1、硅晶圆；2、透明介质膜；3、不透明外延层。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

一种光刻工艺中的晶圆结构，包括一硅晶圆1，所述硅晶圆1上至少包括两个对准标记，每个对准标记上方覆盖有透明介质膜2；