[实用新型]一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统有效
| 申请号: | 201721301753.1 | 申请日: | 2017-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN207248795U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 张磊 | 申请(专利权)人: | 天津市博智伟业科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 300450 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 荧光 光谱仪 内置 屏蔽 系统 | ||
技术领域
本实用新型是一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统,属于光谱仪领域。
背景技术
能量色散X荧光光谱仪属于精密仪器,传感器的输出信号非常微弱,极易受到干扰,因此,对仪器内部的干扰源必须进行处理,在电磁干扰中,电机、开关电源、高压电源都属于干扰源,为了解决干扰问题,通过对比试验,发现采用屏蔽处理是最有效最简便的方法。
光谱仪在工作的过程中,无法避免因内部各个部件因电磁干扰,而造成的信号不稳定的情况。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统,以解决光谱仪在工作的过程中,无法避免因内部各个部件因电磁干扰,而造成的信号不稳定的情况的问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统,其结构包括:保护帽、屏蔽板、屏蔽管、散热片、探测器管、探测器顶端,所述探测器顶端位于探测器管的上表面并且与探测器管为一体化结构,所述探测器管位于屏蔽管的内侧面并且与屏蔽管相配合,所述散热片固定安装在屏蔽管的左右两侧面,所述屏蔽板位于屏蔽管的上表面并且与屏蔽管固定连接,所述保护帽位于屏蔽板的上表面并且与屏蔽板活动连接。
进一步地,所述屏蔽管下表面设有安装座并且安装座上设有四个螺纹装配孔。
进一步地,所述保护帽与探测器顶端螺纹连接。
进一步地,所述探测器管位于屏蔽管的内侧面并且与屏蔽管采用间隙配合。
进一步地,所述保护帽内部设有保护垫。
进一步地,所述的两块散热片相互平行。
进一步地,所述屏蔽管内设有铜箔,且铜箔采用纯铜材料制成。
进一步地,所述屏蔽管采用金属材料制成。
有益效果
本实用新型的一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统,可以达到对仪器中的电机、开关电源、高压电源的泄漏部位进行屏蔽,大幅减小的电磁辐射的强度,对干扰的衰减大概能达到70dB左右,传感器的工作状态明显好转的目的。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实用新型一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统的爆炸结构示意图。
图2为本实用新型一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统的装配示意图。
图中:保护帽-1、屏蔽板-2、屏蔽管-3、散热片-4、探测器管-5、探测器顶端-6。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
请参阅图1、图2,本实用新型提供一种X荧光光谱仪内置屏蔽系统技术方案:其结构包括:保护帽1、屏蔽板2、屏蔽管3、散热片4、探测器管5、探测器顶端6,所述探测器顶端6位于探测器管5的上表面并且与探测器管5为一体化结构,所述探测器管5位于屏蔽管3的内侧面并且与屏蔽管3相配合,所述散热片4固定安装在屏蔽管3的左右两侧面,所述屏蔽板2位于屏蔽管3的上表面并且与屏蔽管3固定连接,所述保护帽1位于屏蔽板2的上表面并且与屏蔽板2活动连接,所述屏蔽管3下表面设有安装座并且安装座上设有四个螺纹装配孔,所述保护帽1与探测器顶端6螺纹连接,所述探测器管5位于屏蔽管3的内侧面并且与屏蔽管3采用间隙配合,所述保护帽1内部设有保护垫,所述的两块散热片4相互平行,所述屏蔽管3内设有铜箔,且铜箔采用纯铜材料制成,所述屏蔽管3采用金属材料制成。
本实用新型所述的散热片4是一种给电器中的易发热电子元件散热的装置,多由铝合金,黄铜或青铜做成板状,片状,多片状等。
在进行使用时,先通过安装座上的螺纹装配孔将屏蔽管3装配在适合的位置,然后将保护帽1安装上去,起到保护探测管顶端6的作用,因为屏蔽管3内设有铜箔,且铜箔采用纯铜材料制成,在抗磁屏蔽的材料中,铜是效果最好的材料,所以可以达到对仪器中的电机、开关电源、高压电源的泄漏部位进行屏蔽,大幅减小的电磁辐射的强度,对干扰的衰减大概能达到70dB左右,传感器的工作状态明显好转的目的。
本实用新型解决光谱仪在工作的过程中,无法避免因内部各个部件因电磁干扰,而造成的信号不稳定的情况的问题,本实用新型通过上述部件的互相组合,可以达到对仪器中的电机、开关电源、高压电源的泄漏部位进行屏蔽,大幅减小的电磁辐射的强度,对干扰的衰减大概能达到70dB左右,传感器的工作状态明显好转的目的,具体如下所述:
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