[实用新型]一种新型硅太阳电池正面电极有效
申请号: | 201721245851.8 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN207883701U | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 夏金才;肖剑峰;黄志林;蒋旭东 | 申请(专利权)人: | 日地太阳能电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 毛翔威 |
地址: | 315803 浙江省宁波市北仑区小港街*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅线 镂空状 细栅线 硅太阳电池 正面电极 偶数根 镂空槽 本实用新型 垂直连接 方向一致 输送过程 阵列分布 阵列形式 电性能 导通 断栅 排布 银浆 电路 保证 输出 | ||
本实用新型公开了一种新型硅太阳电池正面电极,包括四根平行排列的主栅线及与所述主栅线垂直连接的偶数根细栅线,并且上述主栅线与细栅线相互导通,在每一根主栅线上设有沿主栅线的分布方向并按阵列形式排布的镂空状阵列,且所述的镂空状阵列包含一个以上的镂空状单元,每一个镂空状单元包含一个以上与镂空状阵列分布方向一致的镂空槽,且所述每一个镂空槽的长宽均小于主栅线对应的长宽,偶数根细栅线两两通过银浆连接。该结构能够有效避免因细栅线断栅而引起的电路不通,从而保证了电性能的输出,另外降低成本又能够保证整个信号的输送过程。
技术领域
本实用新型涉及一种硅太阳电池正面电极,特别是一种新型硅太阳电池正面电极。
背景技术
随着全球能源的日趋紧张,太阳能以无污染、 市场空间大等独有的优势受到广泛重视。光伏发电具有安全可靠、 无噪声、 故障率低等优点, 太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转化为电能的主要部件。
目前, 市场上常见的硅太阳能电池包括硅片, 硅片的正面沉积有一层氮化硅膜,氮化硅膜上采用银浆料丝网印刷有两条或三条主栅线和一组均匀分布且与主栅线垂直相交连接的细栅线,在光照下晶体硅太阳能电池产生的电流通过细栅线和主栅线相互导通,细栅线用来收集电流传输给主栅线, 主栅线构成电池的负电极, 电流汇聚到主栅线上,将焊带焊接在主栅上可将电流引出,但是目前的细栅线之间均是单独分开的,导致一旦其中有一根或者多根细栅线断栅而容易引起电路不通,最终无法保证电性能的有效输出输出,同时目前的主栅线均是一条结构设置,导致正面电极银浆的耗量大,提高成本。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种能够有效避免因细栅线断栅而引起的电路不通,从而保证了电性能的输出,另外降低成本又能够保证整个信号的输送过程的一种新型硅太阳电池正面电极。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的一种新型硅太阳电池正面电极,包括四根平行排列的主栅线及与所述主栅线垂直连接的偶数根细栅线,并且上述主栅线与细栅线相互导通,在每一根主栅线上设有沿主栅线的分布方向并按阵列形式排布的镂空状阵列,且所述的镂空状阵列包含一个以上的镂空状单元,每一个镂空状单元包含一个以上与镂空状阵列分布方向一致的镂空槽,且所述每一个镂空槽的长宽均小于主栅线对应的长宽,偶数根细栅线两两通过银浆连接。
上述结构在主栅线上采用镂空的阵列设计,可以有效的降低正面电极银浆的耗量,增加正面电极的拉力,降低成本又能够保证整个信号的输送过程,同时偶数根细栅线两两相连,能够有效避免因细栅线断栅而引起的电路不通,从而保证了电性能的输出。
进一步,为了节约成本,每一条主栅线以三段式结构间隔分布,且头围段的尺寸相等。
进一步,为了节约成本,又可以保证电路的流通性,所述主栅的宽度为0.8-1.1mm;所述细栅线的宽度为0.010~0.040mm。
为了有效的增加细栅电流有效的往主栅方向汇集,更有效的利于电流的传输,在主栅线与细栅线连接处的0.4-0.6mm这部分连接段的分布方式是:从主栅线连接处开始由线宽0.08-0.10mm渐变到与细栅线一样的宽度。
本实用新型得到的一种新型硅太阳电池正面电极,在主栅线上采用镂空的阵列设计,可以有效的降低正面电极银浆的耗量,增加正面电极的拉力,降低成本又能够保证整个信号的输送过程,同时偶数根细栅线两两相连,能够有效避免因细栅线断栅而引起的电路不通,从而保证了电性能的输出。
附图说明
图1是本实施例中一种新型硅太阳电池正面电极的结构示意图;
图2是图1中A部分的局部放大图;
图3是本实施例中主栅线的结构示意图;
图4是图3中B部分的局部放大图;
图5是图3中C部分的局部放大图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的