[实用新型]一种可实现均匀冲水的冲水槽有效
| 申请号: | 201721233975.4 | 申请日: | 2017-09-25 |
| 公开(公告)号: | CN207343367U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
| 发明(设计)人: | 李智勇 | 申请(专利权)人: | 青岛金汇源电子有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;B08B3/12;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
| 地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 实现 均匀 冲水 水槽 | ||
本实用新型公开了一种可实现均匀冲水的冲水槽,包括冲水槽箱体和聚丙烯内衬,所述的冲水槽箱体外部包括控制器、进水口、下出水口、上出水口和电源线插座,所述的冲水槽箱体内部结构包括超声波振子、振动面钢板和上水口,所述的聚丙烯内衬结构包括上分水板和下分水板,所述的上分水板上均匀分布上分水孔,所述的下分水板上均匀分布下分水孔,所述下分水孔和上分水孔彼此竖直错位散布。本实用新型实现了自下向上的均匀出水的效果,解决了冲水槽常出现的杂质沉积和水回流的问题,使达到理想的冲水效果所需要的时间减少,进而达到节约用水、降低成本的目的。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体硅片生产设备,特别涉及一种硅片冲洗槽。
背景技术
伴随电子科技的进步,集成电路的集成度不断提高、线程不断减小,集成电路对于硅片表面的洁净度、表面化学态及氧化膜厚度的要求也在不断提高,即便微量的污染也有可能造成半导体器件的失灵,因此半导体器件生产过程中的硅片必须要经过严格的清洗,在现有的技术中,硅片的表面清洗过程一般都是在硅片冲洗槽中进行的,目前业内使用的冲水槽结构较单一,冲水水流一般从冲水槽侧面流出,从冲水槽底部排出,因此导致冲水水流不均匀,硅片冲洗效果差,冲洗下来的杂质在水槽中回旋沉积难以排出,达到理想冲洗效果所需时间长,也造成了对水资源的浪费,提高了生产成本。
实用新型内容
为了克服现有技术冲洗效率低下、浪费水资源的问题,本实用新型公开了一种可实现均匀冲水的冲水槽。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种可实现均匀冲水的冲水槽,包括冲水槽箱体和聚丙烯内衬,所述的冲水槽箱体外部包括控制器、进水口、下出水口、上出水口和电源线接口,所述的冲水槽箱体内部结构包括超声波振子、振动面钢板和上水口,所述的聚丙烯内衬结构包括上分水板和下分水板,所述的上分水板上均匀散布上分水孔,所述的下分水板上均匀散布下分水孔。
进一步的,所述的上分水孔和下分水孔在竖直方向上错位排布。
进一步的,所述的上分水孔和下分水孔直径均为6mm。
进一步的,所述的上分水孔孔间圆心距和下分水孔孔间圆心距均为8~10mm。
本实用新型的有益效果是,由于两层分水板上的分水孔错位散布,使水流可以均匀的从每个上分水孔流出,自下而上对硅片进行均匀冲洗,水从冲水槽底部进入,顶部排出,解决了杂质回旋沉积的现象,同时在超声波的作用下可极大提高冲洗槽的冲洗效率,缩短了达到理想冲洗效果所需要的时间,节约了水资源,降低了硅片的生产成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1为本实用新型的主视图;
图2为本实用新型的切面图;
图中1.冲水槽箱体,2.聚丙烯内衬,3.控制器,4.电源线接口,5.进水口,6.下出水口,7.上出水口,8.上水口,9.超声波振子,10.振动面钢板,11.上分水板,12.下分水板,13.上分水孔,14.下分水孔。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型做进一步的说明,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本实用新型的一个实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,根据此附图和实施例获得其他的实施例,特别是对本实用新型尺寸和比例的变化,都属于本实用新型的保护范围。
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