[实用新型]一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉有效
申请号: | 201721227536.2 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN207347690U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 徐涛;邱建峰;王义斌;周慧敏;徐志群 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 斜壁式 水冷 单晶炉 | ||
本申请公开了一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,包括倾斜式的位于导流筒内的水冷热屏本体,所述水冷热屏本体具有进水管和出水管,所述进水管和所述出水管均倾斜的固定于所述导流筒内,用于保持所述水冷热屏本体处于倾斜状态,所述进水管和所述出水管均从所述单晶炉的中炉筒侧面穿出并固定。上述具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,能够增加单位时间内通过氩气传递的热量辐射,增大晶棒纵向的过冷度,提升单晶的等径阶段的拉速,提高生产效率,增加产能。
技术领域
本实用新型涉及单晶生长技术领域,更具体地说,涉及一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉。
背景技术
近年来随着硅太阳能产业高速发展,市场竞争越来越激烈,为降低硅片生产成本,提高硅片的竞争力,可以采用CZ法(直拉单晶工艺)对生产过程中产生的单晶埚底料和铸锭边角料进行提纯使用,提高原料利用率。CZ法拉晶过程是一个液态转化为固态的过程,需要释放大量的热,即液面的过冷度决定了晶体的生长速度,目前通过水冷热屏提拉速主要应用在单晶拉制过程中,而对于提纯用很少涉及。
现有的水冷热屏装置主要以直壁式水冷热屏为主,主要还是通过快速水冷,增加纵向过冷度来提升拉速,但其缺点是单位时间内通过热辐射传递的热量少,过冷度相对较低,并且对单晶炉设备的水平和纵向要求较高,实用性较低。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,能够增加单位时间内通过氩气传递的热量辐射,增大晶棒纵向的过冷度,提升单晶的等径阶段的拉速,提高生产效率,增加产能。
本实用新型提供的一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,包括倾斜式的位于导流筒内的水冷热屏本体,所述水冷热屏本体具有进水管和出水管,所述进水管和所述出水管均倾斜的固定于所述导流筒内,用于保持所述水冷热屏本体处于倾斜状态,所述进水管和所述出水管均从所述单晶炉的中炉筒侧面穿出并固定。
优选的,在上述斜壁式水冷热屏的单晶炉中,所述导流筒内还倾斜式固定有至少两个支撑管,所述支撑管用于支撑所述水冷热屏本体。
优选的,在上述斜壁式水冷热屏的单晶炉中,所述出水管设置有流量监控装置,用于监控所述出水管的水流量。
优选的,在上述斜壁式水冷热屏的单晶炉中,所述出水管设置有温度监控装置,用于监控所述出水管内的水温。
优选的,在上述斜壁式水冷热屏的单晶炉中,所述流量监控装置的另一端还设置有自动式泄压阀。
优选的,在上述斜壁式水冷热屏的单晶炉中,所述流量监控装置的另一端还设置有手动式泄压阀。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的具有斜壁式水冷热屏的单晶炉,由于包括倾斜式的位于导流筒内的水冷热屏本体,所述水冷热屏本体具有进水管和出水管,所述进水管和所述出水管均倾斜的固定于导流筒内,用于保持所述水冷热屏本体处于倾斜状态,所述进水管和所述出水管均从所述单晶炉的中炉筒侧面穿出并固定,因此能够增加单位时间内通过氩气传递的热量辐射,增大晶棒纵向的过冷度,提升单晶的等径阶段的拉速,提高生产效率,增加产能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种具有斜壁式水冷热屏的单晶炉的示意图;
图2为本申请实施例提供的斜壁式水冷热屏的出水管位置的细节图。
具体实施方式
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