[实用新型]一种阵列基板、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201721221550.1 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN207367974U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 秦刚;刘丹;饶毅;李航;李晨雨;吕俊君;王念念 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置,以改善现有技术在对断开的数据线进行维修时存在的成功率较低,维修后寿命较低,以及维修成本较高的问题。所述阵列基板包括:依次设置在衬底基板之上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、以及源漏极层,所述源漏极层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述阵列基板还包括与所述源漏极层接触的修复层,所述修复层包括数据修复线,所述数据修复线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重叠。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
平面显示器(F1at Pane1 Disp1ay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(Liquid Crysta1 Disp1ay,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode,OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asma Disp1ayPane1,PDP)及场发射显示器(Field Emission Display,FED)等。
作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)背板技术,也在经历着深刻的变革。而现有的TFT背板,由于数据线布线很密,以及线宽较小的原因,使得数据线容易发生断开不良。目前,业内对于出现的数据线断开不良,均是利用金属沉积的方式在数据线断开处进行连接,以达到修复的目的。但是经过维修的显示面板还是存在较多的问题,例如,维修后沉积的金属(如W/Co等)容易脱落,后续是否重新出现不良无法保证;维修后沉积的金属信赖性没有非维修显示面板好,使用寿命较低,缺乏竞争力;桥架处容易出现其他不良,如漏源极和栅极短路,漏源极和公共电极短路;数据线断开发生率一般大于1%,维修越多,需要投资更多的维修设备和人力成本。即,现有技术在对数据线断开进行维修时,存在成功率较低,显示面板的寿命较低,同时还容易出现其他不良,而且还需要投资更多的维修设备和人力成本。
实用新型内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置,以改善现有技术在对断开的数据线进行维修时存在的成功率较低,维修后寿命较低,以及维修成本较高的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括:依次设置在衬底基板之上的栅极层、栅极绝缘层、有源层、以及源漏极层,所述源漏极层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线,所述阵列基板还包括与所述源漏极层接触的修复层,所述修复层包括数据修复线,所述数据修复线在所述衬底基板上的正投影与所述数据线在所述衬底基板上的正投影重叠。
优选的,所述修复层还包括与所述数据修复线连接的第一修复部,以及与所述第一修复部相对的第二修复部;所述第一修复部在所述衬底基板上的正投影与所述源极在所述衬底基板上的正投影重叠,所述第二修复部在所述衬底基板上的正投影与所述漏极在所述衬底基板上的正投影重叠。
优选的,所述阵列基板还包括设置在所述有源层与所述源漏极层之间的像素电极层,所述像素电极层包括多个呈阵列分布的像素电极,所述修复层与所述像素电极层为同一层。
优选的,所述数据修复线、所述第一修复部以及所述第二修复部的材质与所述像素电极的材质相同。
优选的,所述源漏极层之上还设置有钝化层。
优选的,所述钝化层之上还设置有公共电极。
优选的,所述公共电极设置有多条延伸方向与所述数据线延伸方向相同的狭缝。
优选的,所述栅极层还包括延伸方向与所述栅线延伸方向相同的公共电极信号线,所述公共电极信号线在背向所述栅线的一侧设置有凸出部,所述公共电极通过过孔与所述公共电极信号线的所述凸出部连接。
本申请实施例还提供一种显示面板,包括本申请实施例提供的所述阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的