[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201721216768.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN207425864U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 毛光;解磊;代刚;钟乐;彭勇;吕秋叶;杨任花;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 金属氧化物半导体场效应晶体管 本实用新型 埋氧层 顶层 隔离 对称性结构 寄生晶体管 漏电 电路设计 浮体效应 漏电通道 生长硅层 有效抑制 耗尽型 体接触 正电荷 晶体管 背栅 电阻 光刻 漏极 源极 离子 侧面 生长 引入 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：从下至上包括作为支撑层的硅底层（1）和作为绝缘层的埋氧层（2），埋氧层（2）上包括有作为有源层的硅顶层（3）、P+层（5），P+层（5）在硅顶层（3）的侧面，P+层（5）上生长形成有氧化层（6），氧化层（6）上分别生长形成源极（7）和漏极（8）。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：所述氧化层（6）的厚度为d2，1纳米＜d2＜10纳米，且氧化层（6）的厚度小于P+层（5）的厚度。
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