[实用新型]DQS信号延时控制电路及半导体存储器

说明书

技术领域

本实用新型涉及动态随机存储器技术领域，特别涉及一种DQS信号延时控制电路，还涉及包含DQS信号延时控制电路的半导体存储器。

背景技术

DQS(Data Strobe Signal，数据选通信号)作用是在双倍速率动态随机存储器(DDR DRAM，Double Data Rate Dynamic Random Access Memory)中应具有的重要功能，主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。DQS信号是数据的同步信号，如图1所示，在数据写入时，由主控芯片10发送DQS信号至半导体存储器40即DRAM芯片，藉由DQS信号作数据同步。

在半导体存储器如低功耗内存芯片(LPDDR4，Low Power Double Data Rate SDRAM)中，写入过程中，DQS信号与数据信号DQ通过近似相同长度的传输路径以近似相同的速度传送至LPDDR4中，在LPDDR4中，DQS输入电路30将接收到的DQS信号通过一传输路径传送至DQ输入电路20，DQ输入电路20根据DQS信号的上升沿以及下降沿来抓取数据，并将数据存储至存储器21中，例如，主控芯片10控制DQS(0)变为DQS(1)或者DQS(1)变为DQS(0)，DQS信号每变化一次，DQ输入电路20根据上述变化抓取数据一次，并将数据存储。

由于DQS信号和DQ信号到达LPDDR4所用的时间近似相同，在LPDDR4内部，DQS信号还需要一段时间才能传送至DQ输入电路20，DQS和DQ的传输时间差导致了DQS信号与DQ信号不同步。为了避免上述情况，通常的做法是，主控芯片10将DQS信号提前一个时间t_DQS2DQ发送至LPDDR4中，使得DQS信号与DQ信号能够同步到达DQ输入电路20，以提高DQ输入电路20抓取数据的准确率。

然而，延时时间t_DQS2DQ容易受LPDDR4的内部工作电压或者工作温度等因素影响，导致半导体存储器的主控芯片10需要通过不断的检测内部工作电压或工作温度等参数的变化来调整延时时间t_DQS2DQ，主控芯片10对LPDDR4的内部工作电压变化或工作温度等参数变化的检测耗时耗能，最终导致写入速度变慢，而且通过检测半导体存储器内部工作电压或工作温度来调整延时时间t_DQS2DQ的方法无法有效提高DQ输入电路20抓取数据的准确率，因为延时时间t_DQS2DQ调整的准确性不高。

因此，如何减小延时时间t_DQS2DQ受内部工作电压或工作温度等参数变化的影响，从而得到稳定的延时时间t_DQS2DQ是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例希望提供一种DQS信号延时控制电路及半导体存储器，以至少解决现有技术中存在的技术问题。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的，根据本实用新型的一个实施例，提供一种DQS信号延时控制电路，应用于半导体存储器，所述控制电路包括DQS输入电路、DQ输入电路及传输线路，所述传输线路的输入端与所述DQS输入电路连接，输出端与所述DQ输入电路连接，所述传输线路包括至少一个内部电路，且当所述内部电路为多个时，多个所述内部电路在所述DQS输入电路至所述DQ输入电路的传输方向上顺次连接；

其中，所述内部电路中的至少一个接入稳压电源，所述稳压电源用于给接入的所述内部电路提供稳定工作电压；

所述延时控制电路还包括控制器，所述控制器与所述稳压电源连接，所述控制器用于检测所述延时控制电路中的参数变化，并根据所述参数变化以及预设的稳定工作电压生成策略，产生与所述参数变化对应的稳定工作电压输出，输出的所述稳定工作电压用于提供给所述内部电路。

优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述延时控制电路中的参数变化为所述延时控制电路中的温度变化，所述预设的稳定工作电压生成策略为在预设温度范围内，所述温度与所述稳定工作电压成正相关。

优选的，在上述DQS信号延时控制电路中，所述延时控制电路中的参数变化为所述延时控制电路中未接入所述稳压电源的内部电路的电压变化，所述预设的稳定工作电压生成策略为未接入所述稳压电源的内部电路的电压与所述稳定工作电压成负相关。