[实用新型]一种肖特基接触超级势垒整流器

权利要求书

1.一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(31)、第一导电类型势垒高度调节区(32)、肖特基接触区(40)、栅介质层(41)、栅电极层(42)和上电极层(50)；

所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；

所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；

所述第二导电类型体区(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；

所述第一导电类型势垒高度调节区(32)和肖特基接触区(40)均覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；

所述栅介质层(41)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面、第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区(32)之上；

所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；

所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)之上，所述上电极层(50)还覆盖于肖特基接触区(40)之上。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：还包括第二导电类型保护环及结终端区，所述第二导电类型保护环及结终端区为闭合状的环形结构；所述环形结构包围的中间区域为有源区。

3.根据权利要求1或2所述的一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：所述第二导电类型体区(31)由一个或者多个重复的结构单元构成；所述第二导电类型体区(31)位于有源区内部，位于有源区边缘的结构单元与所述第二导电类型保护环及结终端区可以接触，也可以不接触。

4.根据权利要求1所述的一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：所述栅介质层(41)的材料包括二氧化硅材料活着氮氧化硅；所述栅电极层(42)的材料包括掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：所述栅电极层(42)可省略；当栅电极层(42)被忽略时，所述上电极层(50)覆盖于肖特基接触区(40)之上的部分表面和栅介质层(41)之上。

6.根据权利要求1所述的一种肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)能够包含增强层结构。