[实用新型]一种半导体晶圆制造显影预对准装置有效
| 申请号: | 201721204693.1 | 申请日: | 2018-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN207425831U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
| 发明(设计)人: | 刘明忠;刘琦臻 | 申请(专利权)人: | 惠安迅科通讯技术服务有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G03F9/00 |
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| 地址: | 362100 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显影 半导体晶圆 预对准装置 工作台 针头 制造 连续变焦镜头 本实用新型 升降工作台 工作效率 减速电机 伺服电机 转轴旋转 灯座 电机箱 滑轨架 升降轴 旋转台 预对准 照明灯 支撑脚 转动轴 电镀 导轨 升降 配合 | ||
本实用新型公开了一种半导体晶圆制造显影预对准装置,其结构包括支撑脚、机架、灯座、照明灯、导轨、电机箱、转动轴、滑轨架、伺服电机、针头、工作台、CCD相机、支座;为了实现半导体晶圆制造显影预对准装置能够显影预对准进行标记和升降工作台,机架上设有CCD相机,CCD相机通过连续变焦镜头对半导体晶圆进行显影,CCD相机利用针头进行标记,提高工作效率、工作质量,工作台通过减速电机上的转轴旋转并带动升降轴,使旋转台可以进行升降配合电镀工作。
技术领域
本实用新型是一种半导体晶圆制造显影预对准装置,属于半导体制造领域。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。
在半导体晶圆级封装或凸点制造时,为了在晶圆表面形成设计凸点的金属线路或金属凸点,需要先在晶圆表面通过物理气相沉积的方法形成一层电镀所需要的金属种子层。然后在金属种子层上通过光刻图形转移方法形成有设计图案的正性光阻,而为了电镀工艺要求需要在这层正性光阻的晶圆边缘形成无光刻胶电镀阴极金属环接触区域。
现有技术公开了申请号为:CN201420766748.8的一种半导体晶圆制造显影预对准装置,包括轴线竖直设置的真空旋转吸盘,真空旋转吸盘的顶部具有真空吸附平面,真空旋转吸盘的上方沿水平方向滑动设置有边缘曝光装置,边缘曝光装置包括具有通孔的可调节挡板和紫外线发光装置,紫外线发光装置位于可调节挡板的正上方,紫外线发光装置用于发出紫外线并通过所述通孔向真空旋转吸盘一侧照射。用该现有技术装置对半导体晶圆边缘曝光,待显影后形成的无光刻胶电镀阴极金属环接触区域宽度范围为1.2mm到1.6mm之间,不会造成电镀时设备报警、电镀高度不一致甚至是产品报废情况。而且所形成的光滑垂直截面边缘光刻胶不会脏污电镀治具的接触电极,大大减少了电镀治具的预防性维护频次,但是现有技术只能大大减少了电镀治具的预防性维护频次,不能显影预对准进行标记,提高电镀效率,不能升降工作台,配合电镀。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种半导体晶圆制造显影预对准装置,以解决只能大大减少了电镀治具的预防性维护频次,不能显影预对准进行标记,提高电镀效率,不能升降工作台,配合电镀的问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种半导体晶圆制造显影预对准装置,其结构包括支撑脚、机架、灯座、照明灯、导轨、电机箱、转动轴、滑轨架、伺服电机、针头、工作台、CCD相机、支座;
所述的机架底部安装有支撑脚,所述的机架前端设有支座,所述的机架和支座固定连接,所述的机架中间位置上设有工作台,所述的机架和工作台相配合,所述的机架上设有灯座,所述的机架和灯座采用过盈配合,所述的灯座为矩形结构且表面上设有照明灯,所述的灯座和照明灯相连接,所述的灯座上方设有电机箱,所述的机架和电机箱活动连接,所述的电机箱上设有导轨,所述的电机箱和导轨固定连接,所述的电机箱顶部设有转动轴,所述的电机箱和转动轴采用过盈配合,所述的电机箱内部设有伺服电机,所述的电机箱上设有滑轨架,所述的电机箱和滑轨架通过导轨相连接,所述的滑轨架底部设有针头,所述的滑轨架和针头螺纹连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





