[实用新型]半导体结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体结构。在具有通道的前端结构上形成有绝缘层，通道中形成有渠道沉积物，绝缘层中形成有接触窗，接触窗暴露出渠道沉积物，接触窗靠近渠道沉积物的一端的尺寸小于接触窗远离渠道沉积物的一端的尺寸，在接触窗中形成有后端金属层。相比现有技术，本实用新型中缩小了通道的深度，同时通过设置接触窗弥补了通道缩小的尺寸，由此使得位于通道中的渠道沉积物的高度变低，降低了工艺难度，避免渠道沉积物中空隙的形成，降低了渠道沉积物阻值。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构。

背景技术

高深宽比的接触窗制程对于后制程金属沉积是一项挑战，尤其是金属层接触窗结构。随着动态随机存取存储器件(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制程不断微缩，必须增加电容高度已达到所需的电容量。但此结构也同步的增加金属层接触窗结构的纵向连接高度。

目前钨化学气相沉积工艺等沉积工艺普遍用于DRAM中的金属层接触窗结构的孔填充，主要用以连接后端金属层与前端结构中的位线或连接其他上下层金属层。

在现有技术中，随着DRAM技术不断微缩，制作高深宽比的电容结构的同时，往往也需要在单元区域之外制作更大高深宽比的金属层接触窗结构，这对于填孔沉积是极大挑战。当金属层接触窗结构出现填孔空隙(key hole)问题，将造成连接线的阻值偏高、讯息传递速度延迟以及产品可靠性的降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体结构，改善高深宽比金属层接触窗结构的沉积效果，降低通道连接阻值。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体结构，包括：

前端结构，包括一介质层，所述介质层中形成有若干贯穿所述介质层的通道；

渠道沉积物，形成于所述通道中；

绝缘层，形成于所述前端结构上，所述绝缘层形成有接触窗，所述接触窗具有底部延伸孔，暴露出所述渠道沉积物的至少部分区域，所述接触窗的所述底部延伸孔的尺寸小于所述接触窗远离所述渠道沉积物的顶开口尺寸；以及

后端金属层，形成于所述接触窗中。

可选的，对于所述的半导体结构，所述前端结构还包括多个电容结构，所述介质层上表面不高于所述电容结构的上极板，所述接触窗还位于所述电容结构的上极板上。

可选的，对于所述的半导体结构，还包括一层刻蚀停止层，位于所述前端结构和所述绝缘层之间的。

可选的，对于所述的半导体结构，所述刻蚀停止层包括一层厚度10-100nm的氮化层。

可选的，对于所述的半导体结构，还包括一层衬垫层，位于所述接触窗的侧壁和底壁上。

本实用新型还提供另一种半导体结构，包括：

一衬底，包含一单元区域及一外围区域，所述单元区域上设置有多个电容结构，所述外围区域上形成有一介质层，所述介质层上表面不高于所述电容结构的上极板；

形成所述介质层的若干通道，所述通道贯穿所述介质层且位在所述外围区域上；

渠道沉积物，形成在所述通道中；以及

后端金属层，形成在所述电容结构的所述上极板上及所述介质层上；其中，所述电容结构的所述上极板的上表面及所述介质层的上表面组成为整平连续面，并且所述渠道沉积物的上表面平齐于所述整平连续面，以使所述渠道沉积物在长度上对应于所述电容结构。

可选的，对于所述的半导体结构，还包括一层刻蚀停止层，形成于所述整平连续面上。

可选的，对于所述的半导体结构，所述刻蚀停止层包括一层厚度10-100nm的氮化层。