[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

随着现有显示装置分辨率的提高，TDDI(触控与显示驱动器集成)等新技术和驱动电路的复杂化，显示装置中尤其是LTPS产品不可避免的在各个区域存在交叉的金属驱动引线(如栅线和数据线)。在这些金属引线交叉的位置容易发生静电击穿，从而导致数据线和栅线短路不良(Data-Gate Short，DGS不良)，进而导致异显等不良。

实用新型内容

本实用新型提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决引线交叉位置易发生静电击穿造成的异显的问题。

第一方面，本实用新型提供一种阵列基板，包括：交叉设置的第一金属引线和第二金属引线，在所述第一金属引线和所述第二金属引线交叉位置形成有寄生电容；

至少一个与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的至少一个电极与所述第一金属引线或所述第二金属引线同层设置，所述保护电容的两个电极在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，且所述保护电容的击穿电压小于所述寄生电容的击穿电压。

可选地，所述保护电容包括第一保护电容，所述第一保护电容的一个电极为与所述第一金属引线同层设置的第一辅助引线，所述第一辅助引线的两端与所述第一金属引线相连，所述第一辅助引线与所述第二金属引线形成所述第一保护电容。

可选地，所述保护电容还包括第二保护电容和第三保护电容；

其中，所述第二保护电容的一个电极为与所述第二金属引线同层设置的第二辅助引线，所述第二辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第二辅助引线与所述第一金属引线形成所述第二保护电容；所述第二辅助引线与所述第一辅助引线形成所述第三保护电容。

可选地，所述第一金属引线为栅线，所述第二金属引线为数据线；或者，所述第一金属引线为数据线，所述第二金属引线为栅线。

可选地，所述保护电容包括第四保护电容，所述第四保护电容的一个电极为与所述阵列基板的挡光层同层设置的第三辅助引线，所述第三辅助引线与所述第一金属引线通过过孔连接，所述第三辅助引线与所述第二金属引线形成所述第四保护保护电容。

可选地，所述保护电容还包括第五保护电容和第六保护电容，所述第五保护电容的一个电极为与所述二金属引线同层设置的第四辅助引线，所述第四辅助引线的两端与所述第二金属引线相连，所述第四辅助引线与所述第一金属引线形成所述第五保护电容；所述第四辅助引线与所述第三辅助引线形成所述第六保护电容。

可选地，所述阵列基板为LTPS-LCD阵列基板，所述第一金属引线为数据线。

第二方面，本实用新型还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。

第三方面，本实用新型还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

与现有技术相比，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型实施例的阵列基板中设置至少一个与寄生电容并联的保护电容，且保护电容的至少一个电极与第一金属引线或第二金属引线同层设置，保护电容的击穿电压小于寄生电容的击穿电压，当静电累积到一定程度，保护电容首先被击穿，并释放静电，之后对保护电容所在位置进行修复，恢复阵列基板的功能。

附图说明

图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图；

图2所示为保护电容与寄生电容并联的等效电路示意图；

图3所示为本实用新型实施例一的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图4所示为本实用新型实施例二的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图5所示为本实用新型实施例三的寄生电容与保护电容位置结构示意图；

图6所示为本实用新型实施例三的LIPS-LCD阵列基板层结构示意图；

图7所示为本实用新型实施例四的寄生电容与保护电容位置结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1所示为现有技术的寄生电容位置结构示意图，在第一金属引线1'与第二金属引线2'的交叉位置形成寄生电容C1'，在寄生电容C1'处易发生静电击穿，造成两条引线短路，从而造成显示不良等现象。