[实用新型]一种叠层OLED器件

权利要求书

1.一种叠层OLED器件(100)，包括两个或者两个以上的发光单元(50)，两相邻所述发光单元(50)之间设有连接层(70)，所述连接层(70)由n型层(71)和p型层(73)构成，其特征在于，至少一个所述连接层(70)的所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。

2.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述叠层OLED器件(100)包括三个所述发光单元(50)，三个所述发光单元(50)为依次叠设的第一发光单元(51)、第二发光单元(53)和第三发光单元(55)，所述第二发光单元(53)为黄光发光单元，所述第二发光单元(53)和所述第三发光单元(55)之间的所述连接层(70)的所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的厚度差小于等于10nm，且所述n型层(71)与所述p型层(73)之间的折射率差值大于等于0且小于等于0.3。

3.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)的厚度大于所述p型层(73)的厚度、或者所述p型层(73)的厚度大于所述n型层(71)的厚度或者所述n型层(71)的厚度等于所述p型层(73)的厚度。

4.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述连接层(70)的厚度为20～150nm。

5.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)和所述p型层(73)的厚度均为40nm。

6.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)的折射率大于所述p型层(73)的折射率或者所述p型层(73)的折射率大于所述n型层(71)的折射率。

7.如权利要求1所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述n型层(71)的折射率为1.8，所述p型层(73)的折射率为1.7。

8.如权利要求2所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述叠层OLED器件(100)还包括分别位于其两端的阳极(10)和阴极(30)，所述第一发光单元(51)包括设于依次叠层于所述阳极(10)上的第一空穴注入层(511)、第一空穴传输层(513)、第一发光层(515)及第一电子传输层(517)，所述第二发光单元(53)包括依次层叠的第二空穴传输层(531)、第二发光层(533)及第二电子传输层(535)，所述第二空穴传输层(531)设于靠近所述第一发光单元(51)的一侧，所述第三发光单元(55)包括依次层叠的第三空穴传输层(551)、第三发光层(553)及第三电子传输层(555)，所述第三空穴传输层(551)设于靠近所述第二发光单元(53)的一侧，所述连接层(70)分别设于所述第一电子传输层(517)和所述第二空穴传输层(531)之间、以及所述第二电子传输层(535)和所述第三空穴传输层(551)之间。

9.如权利要求8所述的叠层OLED器件(100)，其特征在于，所述第一发光单元(51)还包括叠设于所述第一空穴传输层(513)上的电子阻挡层、叠设于所述第一发光层(515)上的空穴阻挡层及叠设于所述第一电子传输层(517)上的电子注入层。