[实用新型]半导体处理腔室和等离子体处理腔室

说明书

公开了半导体处理腔室和等离子体处理腔室。所描述的处理腔室可包括腔室外壳，所述腔室外壳至少部分限定半导体处理腔室的内部区域。腔室可包括底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室也可包括定位在半导体处理腔室的面板与处理区域之间的所述腔室内的第二喷淋头。第二喷淋头可包括耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积。所述至少两个板可至少部分限定通过第二喷淋头的通道，并且每个通道可由在所述通道的第一末端处的第一直径表征并可由在所述通道的第二末端处的多个端口表征。

技术领域

本申请主张于2016年10月4日申请并且标题为“DUAL-CHANNEL SHOWERHEAD WITHIMPROVED PROFILE”的美国专利申请No.15/285,331的权益，所述美国专利申请全文出于全部目以引用方式并入本文中。

本技术涉及半导体系统、工艺和设备。更具体来说，本技术涉及可包括喷淋头的处理腔室，所述喷淋头可用作等离子体电极。

背景技术

集成电路可能通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺制成。在基板上产生图案化材料需要用于移除已暴露材料的受控方法。化学蚀刻用于各种目的，所述目的包括将光刻胶中的图案转移至下层、减薄层、或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。通常期望具有与另一种材料相比更快地蚀刻一种材料的蚀刻工艺，进而促进例如图案转移工艺。认为此蚀刻工艺对第一种材料具有选择性。由于材料、电路、和工艺的多样性，已经开发了对各种材料具有选择性的蚀刻工艺。

蚀刻工艺、沉积工艺和清洁工艺可在各种腔室中进行。这些腔室可包括组件，所述组件可用以形成电容耦合的等离子体，或可能靠近产生其他形式的等离子体的内部腔室区域，诸如电感耦合的等离子体。腔室组件可能以某些方式配置以减少等离子体产生或通过腔室的前驱物分配的影响，但这可能以额外功能为代价。

因此，需要可用以产生高品质装置和结构的改良的系统和方法。这些和其他需求通过本技术解决。

实用新型内容

本技术的半导体处理系统和方法可包括半导体处理腔室，所述腔室包括至少部分限定半导体处理腔室的内部区域的腔室外壳，并且所述腔室外壳可包括盖。腔室可包括被配置以在半导体处理腔室的处理区域内支撑基板的底座。腔室可包括定位在盖与处理区域之间的第一喷淋头，并且可包括定位在半导体处理腔室的第一喷淋头与处理区域之间的面板。腔室也可包括定位在半导体处理腔室的面板与处理区域之间的腔室内的第二喷淋头。第二喷淋头可包括耦合在一起的至少两个板以限定在所述至少两个板之间的容积。至少两个板可至少部分限定通过第二喷淋头的通道，并且每个通道可由在通道的第一末端处的第一直径表征，并可由在通道的第二末端处的多个端口表征。

在实施例中，每个端口可由小于第一直径的直径表征。另外，第一喷淋头可与电源耦合，并且面板可与电气接地耦合。示例性半导体处理腔室也可包括在第一喷淋头与面板之间的间隔件。第一喷淋头、面板和间隔件可被配置以至少部分限定在半导体处理腔室内的等离子体处理区域。在一些实施例中，底座可与电源耦合，并且第二喷淋头可与电气接地耦合。底座和第二喷淋头可被配置以至少部分限定在半导体处理腔室的处理区域内的等离子体处理区域。在实施例中，面板与第二喷淋头可直接接触，并且面板和第二喷淋头都可与电气接地耦合。

第二喷淋头可定位在腔室内，所述第二喷淋头具有面对面板的每个通道的第一末端，并具有靠近半导体处理腔室的处理区域的每个通道的第二末端。另外，第二喷淋头可定位在腔室内，所述第二喷淋头具有靠近半导体处理腔室的处理区域的每个通道的第一末端，并具有面对面板的每个通道的第二末端。第二喷淋头的表面可邻近半导体处理腔室的处理区域，并且可涂覆或处理所述表面。在一些实施例中，第一直径可以是至少约2.5 mm，并且每个端口的直径可以小于或约1.2mm。