[实用新型]电感耦合的等离子体源及包括其的半导体处理腔室

权利要求书

1.一种半导体处理腔室，包括：

腔室外壳，至少部分地限定所述半导体处理腔室的内部区域；

喷头，定位在所述腔室外壳内，其中所述喷头至少部分地将所述内部区域划分为远程区域和处理区域，在所述处理区域中能包含基板；以及

电感耦合的等离子体源，定位在所述喷头与所述处理区域之间，其中所述电感耦合的等离子体源包括电介质材料内的导电材料。

2.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述电介质材料选自由氧化铝、氧化钇、单晶硅和石英组成的组。

3.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述导电材料包括铜管，所述铜管配置成接收在管内流动的流体。

4.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述电介质材料限定通过所述电感耦合的等离子体源的孔，并且其中所述导电材料围绕所述电介质材料内的所述孔定位。

5.如权利要求4所述的半导体处理腔室，其中包含的所述孔以均匀的图案分布遍及所述电介质材料且围绕所述导电材料。

6.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述导电材料在所述电介质材料内以平面螺旋图案来配置。

7.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述导电材料以线圈来配置，所述线圈在所述电介质材料内竖直延伸达所述导电材料的至少两个整匝。

8.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述导电材料包括定位在所述电感耦合的源内的两个导电管。

9.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中第一管以第一配置被包括在所述电感耦合的源内，其中第二管以第二配置被包括在所述电感耦合的源内，并且其中所述第二配置相对于所述第一配置径向地向内。

10.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述第一配置和所述第二配置各自是在所述电介质材料内竖直延伸的卷绕配置。

11.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述第一配置和所述第二配置各自是在所述电感耦合的源的同一平面内的平面配置。

12.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述第一管和所述第二管与RF源耦合。

13.如权利要求12所述的半导体处理腔室，其中所述第一管和所述第二管各自通过电容性分压器与所述RF源耦合。

14.如权利要求1所述的半导体处理腔室，其中所述电感耦合的源包括耦合在一起的至少两个板，其中每个板限定通道的至少一部分，并且其中所述导电材料容纳在至少部分地由所述至少两个板中的每个板限定的所述通道内。

15.一种电感耦合的等离子体源，包括：

第一板，限定第一板内的通道的至少一部分，其中所述第一板包括电介质材料；以及

导电材料，安置在所述通道的所述至少一部分内，其中所述导电材料的特征为螺旋或线圈配置，并且其中所述导电材料与RF源耦合。

16.如权利要求15所述的电感耦合的等离子体源，其中所述第一板限定通过所述第一板的孔，并且其中每个孔的中心轴线垂直于所述通道的所述至少一部分。

17.如权利要求15所述的电感耦合的等离子体源，其中所述等离子体源包括至少三英寸的厚度。