[实用新型]一种太阳能电池组件用隔离条有效
申请号: | 201721173148.0 | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN207134366U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 夏修旸;宇野敬一;吴小平;陈洪野 | 申请(专利权)人: | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 汪青,赖婉婷 |
地址: | 215200 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 隔离 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,具有涉及一种高绝缘、高耐候性、高耐热性、高粘结性的太阳能电池组件用隔离条。
背景技术
太阳能电池组件用隔离条是用来隔离太阳能组件电极的绝缘材料,现组件厂一般采用3M的EPE作为隔离材料。但其耐老化性能差且层间剥离力较差,紫外照射下表面会发生黄变等不良,同时其采用热塑性E膜,其耐热性较差,在做热斑实验时其会出现起泡等不良,影响产品性能。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种太阳能电池组件用隔离条。
为解决以上技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种太阳能电池组件用隔离条,包括基体层,所述隔离条还包括分别设置在所述基体层二个表面上的耐候层及设置在至少一个所述耐候层上的用于粘结的聚烯烃薄膜层,设置有所述聚烯烃薄膜层的耐候层位于所述聚烯烃薄膜层和基体层之间。
根据本实用新型的一些优选实施方式:所述基体层二个表面上的所述耐候层上分别设置有所述聚烯烃薄膜层。
优选地,所述聚烯烃薄膜层的材质为热固性材质。
进一步地,所述聚烯烃薄膜层为聚烯烃弹性体、乙烯醋酸乙烯酯中的一种。
优选地,所述聚烯烃薄膜层为具有抗紫外性能的聚烯烃薄膜层。
根据本实用新型的一些具体实施方式,制备聚烯烃薄膜层时,原料中加入抗紫外功能材料,该抗紫外功能材料为有机抗紫外功能材料,如水杨酸酯类、苯酮类、苯并三唑类、取代丙烯腈类、三嗪类、受阻胺类中的一种或几种混合物。
优选地,所述聚烯烃薄膜层的厚度为20~400微米。
优选地,所述耐候层为耐候型聚酯层、耐候型丙烯酸层、耐候型氟碳树脂层中的一种。
优选地,所述耐候层的厚度为1~30微米。
优选地,所述基体层为PET层。
优选地,所述基体层的厚度为25~400微米。
所述基体层和聚烯烃薄膜层均经过表面电晕处理或等离子处理。
由于上述技术方案的实施,本实用新型与现有技术相比具有如下优点:
本实用新型的隔离条,通过在基体层上设置耐候层及聚烯烃薄膜层,使得隔离条能够与汇流条及电池片具有良好粘结力,且具有高耐候性能、高耐热性。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的隔离条的结构示意图;
图2为本实用新型实施例3的隔离条的结构示意图;
图3为本实用新型隔离条与电池片层压结构示意图;
图中:1、基体层;2、耐候层;3、聚烯烃薄膜层;4、汇流条;5、隔离条;6、玻璃板;7、第一EVA粘结层;8、电池片;9、第二EVA粘结层;10、背板。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1~2所示,本实用新型提供一种太阳能电池组件用隔离条,包括基体层1、分别设置在基体层1二个表面上的耐候层2及设置在至少一个耐候层2上的用于粘结的聚烯烃薄膜层3,设置有该聚烯烃薄膜层的耐候层位于聚烯烃薄膜层和基体层之间。
在某些具体实施例中,聚烯烃薄膜层3可以仅在一个耐候层2上设置,也可以在基体层1二个表面上的耐候层2上分别设置聚烯烃薄膜层3。聚烯烃薄膜层的厚度为20~500微米。当将该隔离条用于太阳能电池组件时,如图3所示,太阳能电池组件包括由上至下依次层叠设置的玻璃板6、第一EVA粘结层7、电池片8、第二EVA粘结层9和背板10,隔离条5设置在汇流条4之间。在此图中未显示出隔离条5与太阳能电池片接触,实际中,隔离条5会覆盖少量的电池片8。隔离条5中设置有聚烯烃薄膜层3的一面与太阳能电池片接触。与电池片接触的聚烯烃薄膜层的厚度优选为50~400微米,具体厚度可以是100微米、200微米、300微米。
在某些具体实施例中,聚烯烃薄膜层3为热固性聚烯烃薄膜层。具体的热固性聚烯烃可以为聚烯烃弹性体,也可以为乙烯醋酸乙烯共聚物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的