[实用新型]一种用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路

权利要求书

1.一种用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，所述加固电路包括：外部存储器、SPI控制总线电路，所述SPI控制总线电路包括中央控制模块和SPI总线控制状态机，所述加固电路与目标SPI器件相连，并对其进行控制，

所述外部存储器包括至少三个独立存储单元，每个存储单元保存一份SPI总线控制电路的参数以及SPI器件的配置寄存器值，SPI总线控制电路与所述外部存储器和所述目标SPI器件相连，用于管理和控制所述目标SPI器件，并且从外部存储器读取总线控制电路参数和配置寄存器值给所述中央控制模块和所述SPI总线控制状态机，

所述中央控制模块监测所述目标SPI器件的状态，并对所述SPI总线控制状态机和所述外部存储器进行刷新；

SPI总线控制状态机用于对总线控制电路进行状态控制。

2.根据权利要求1所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，所述存储单元的数目为三个，以实现对SPI总线控制电路的参数以及SPI器件的配置寄存器值的三模冗余。

3.根据权利要求2所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，所述加固电路还包括第一读缓存器和第一裁决模块，当所述SPI总线控制状态机从所述外部存储器读取SPI器件配置寄存器值时，通过第一读缓存器进行寄存，并且通过所述第一裁决模块进行裁决以确定正确的SPI器件配置寄存器值。

4.根据权利要求2所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，所述加固电路还包括第二读缓存器和第二裁决模块，当所述中央控制模块从所述外部存储器读取总线控制电路参数时，通过第二读缓存器进行寄存，并且通过所述第二裁决模块进行裁决以确定正确的 总线控制电路参数。

5.根据权利要求2所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，当从外部存储器读入SPI器件配置寄存器值时，若第一裁决模块检测到来自某一存储单元的寄存器值发生错误，所述SPI总线控制状态机利用来自其余存储单元或者裁决后的SPI器件配置寄存器值对发生错误的存储单元进行重写。

6.根据权利要求1所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，SPI配置总线控制电路用于所有SPI器件定时进行配置寄存器刷新。

7.根据权利要求4所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，在每次对SPI配置器件的配置寄存器进行刷新前，所述第二裁决模块对从外部存储器读取的总线控制电路参数进行裁决，若检测到来自某一存储单元的总线控制电路参数发生错误，则中央控制模块基于来自其余存储单元或裁决后的总线控制电路参数对发生错误的存储单元的总线控制电路参数进行重写。

8.根据权利要求1所述的用于对星载电子器件进行抗辐射加固的加固电路，其特征在于，所述SPI总线控制状态机具有5个状态。